[發明專利]可調制微波裝置

有效

• 申請號: 201711215081.7
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN109119762B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 李宜音;林宜宏;何家齊;宋立偉;翁銘彥;曾弘毅;羅國淳;蘇夏琳;高克毅
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01Q3/32
• 分類號: H01Q3/32;H01Q1/36;H01Q1/38
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種可調制微波裝置，其特征在于，包括：

一第一輻射體，包括：

一基板；

一金屬層，設置于該基板上；

一保護層，設置于至少部分的該金屬層上，且具有一第一穿孔，該第一穿孔與該金屬層至少部分重疊；

一蝕刻阻擋層，設置于該金屬層與該保護層之間，且具有一第二穿孔，該第二穿孔與該第一穿孔重疊；以及

一導電層，設置于該保護層上，其中該導電層延伸至該第一穿孔內，以通過該第一穿孔以及該第二穿孔接觸該金屬層；

一第二輻射體，與該第一輻射體上下對應設置；

一支撐結構，設置于該第一輻射體與該第二輻射體之間，其中該第一輻射體通過該支撐結構連接于該第二輻射體；

一密封壁，設置于該第一輻射體與該第二輻射體之間，且與該第一輻射體與該第二輻射體定義出一容置空間；以及

一調制結構，該調制結構包括液晶材料，且該調制結構設置于該容置空間。

2.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，該第一輻射體更包括一絕緣層，設置于該保護層與該金屬層之間。

3.如權利要求2所述的可調制微波裝置，其特征在于，該金屬層的厚度對該保護層的厚度的比值介于4至25之間。

4.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，部分該蝕刻阻擋層未與該保護層重疊。

5.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，部分的該導電層與該蝕刻阻擋層重疊。

6.如權利要求5所述的可調制微波裝置，其特征在于，部分的該蝕刻阻擋層位于該導電層以及該金屬層之間。

7.如權利要求5所述的可調制微波裝置，其特征在于，部分的該導電層設置于該蝕刻阻擋層以及該金屬層之間。

8.如權利要求5所述的可調制微波裝置，其特征在于，該導電層與該金屬層直接接觸。

9.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，該蝕刻阻擋層為導電材料。

10.如權利要求9所述的可調制微波裝置，其特征在于，該蝕刻阻擋層為透明氧化物材料。

11.如權利要求9所述的可調制微波裝置，其特征在于，該蝕刻阻擋層為金屬材料。

12.如權利要求11所述的可調制微波裝置，其特征在于，該保護層厚度為500 A至2000A的范圍之間。

13.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，該蝕刻阻擋層的蝕刻率小于該保護層的蝕刻率。

14.如權利要求1所述的可調制微波裝置，其特征在于，該密封壁圍繞該調制結構設置。

15.如權利要求14所述的可調制微波裝置，其特征在于，該密封壁為環形結構。

16.如權利要求1所述的可調制微波裝置，更包括一緩沖層設置于該基板與該金屬層之間。

17.如權利要求16所述的可調制微波裝置，其特征在于，該緩沖層為絕緣材料。

18.如權利要求17所述的可調制微波裝置，其特征在于，該緩沖層為氧化鋁。

19.一種可調制微波裝置，其特征在于，包括：

一第一輻射體，包括：

一基板；

一緩沖層，設置于該基板上；

一金屬層，設置于該緩沖層上；

一絕緣層，設置于部分的該金屬層上，且具有一穿孔；以及

一蝕刻阻擋層，設置于該金屬層與該緩沖層之間；

一第二輻射體，與該第一輻射體上下對應設置；

一支撐結構，設置于該第一輻射體與該第二輻射體之間，其中該第一輻射體通過該支撐結構連接于該第二輻射體；

一密封壁，設置于該第一輻射體與該第二輻射體之間，且與該第一輻射體與該第二輻射體定義出一容置空間；以及

一調制結構，該調制結構包括液晶材料，且該調制結構設置于該容置空間，

其中該穿孔暴露出部分該蝕刻阻擋層。