[發明專利]一種OLED顯示面板在審
| 申請號: | 201711214874.7 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN107768419A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 羅艷 | 申請(專利權)人: | 四川九鼎智遠知識產權運營有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司51214 | 代理人: | 胡川 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括TFT陣列基板、密封板和發光器件,所述密封板設置于所述TFT陣列基板上,與所述TFT陣列基板形成密閉空間,所述發光器件設置于所述密閉空間內的TFT陣列基板上,所述發光器件包括依次層疊的碳化硅襯底、氮化鋁緩沖層、陰極層、感光樹脂層、有機層、陽極層和透明導電超疏水薄膜,所述有機層包括呈矩陣分布在所述感光樹脂層上的隔離層以及設置在所述多個隔離層之間的發光層,所述發光層的表面向下凹陷形成曲面,所述陽極層具有多個貫通的通孔,所述通孔的位置與所述發光層的位置對應,所述發光層由多個氮化鎵層和多個氮化鎵鋁層交錯層疊而成,所述多個氮化鎵層中的至少一個氮化鎵層中插入有應力緩沖層,所述應力緩沖層的晶格常數大于所述氮化鎵層和氮化鎵鋁層的晶格常數。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述通孔的形狀為圓錐臺形,且所述通孔下方的開口直徑大于上方的開口直徑。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述應力緩沖層的材料為GaInAs。
4.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述應力緩沖層的厚度為0.6nm。
5.根據權利要求3或4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述應力緩沖層與所述氮化鎵層形成共格界面。
6.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述氮化鎵鋁層中鋁的組分為20-25%。
7.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述隔離層的截面形狀為等腰梯形。
8.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明導電超疏水薄膜由導電碳納米管和疏水樹脂復合而成,其中,所述導電碳納米管的組分為25%。
9.根據權利要求8所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明導電超疏水薄膜的厚度為80nm。
10.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述密封板包括密封蓋和密封框,所述密封框設置于所述TFT陣列基板的邊緣,所述密封蓋與所述密封框的上端面密封連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





