[發明專利]過電流檢測電路、半導體裝置以及電源裝置

在審

• 申請號: 201711214645.5
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108206630A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 桑野俊一
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/32;G01R19/165;H01L29/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;李慶澤

1.一種過電流檢測電路，其具備：

比較電壓生成部，其生成隨著電源電壓而變化的比較電壓；和

比較部，其將隨著所述電源電壓而變化的開關晶體管的漏極/源極間電壓與所述比較電壓進行比較而生成比較結果信號。

2.根據權利要求1所述的過電流檢測電路，其中，

所述比較電壓生成部包含放大電路，該放大電路通過對不依賴于所述電源電壓的基準電壓與所述電源電壓之差進行放大而生成所述比較電壓。

3.根據權利要求2所述的過電流檢測電路，其中，

所述放大電路包含反相放大電路，該反相放大電路對所述電源電壓與所述基準電壓之差進行反相放大。

4.根據權利要求1～3中的任意一項所述的過電流檢測電路，其中，

所述過電流檢測電路還具備對所述開關晶體管的漏極/源極間電壓進行放大的第2放大電路，

所述比較部將由所述第2放大電路放大后的所述開關晶體管的漏極/源極間電壓與所述比較電壓進行比較。

5.一種半導體裝置，其具備：

權利要求1～4中的任意一項所述的過電流檢測電路；

所述開關晶體管，其具有與輸出端子連接的漏極；以及

開關控制電路，其根據所述比較結果信號，限制流過所述開關晶體管的電流。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述開關控制電路根據所述比較結果信號而變更驅動所述開關晶體管的驅動信號的占空比。

7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置，其中，

當所述開關晶體管處于截止狀態時，所述過電流檢測電路停止動作。

8.根據權利要求5～7中的任意一項所述的半導體裝置，其具備：

第1導電型的半導體襯底；

配置在所述半導體襯底內的第2導電型的第1阱；

配置在所述第1阱內的第1導電型的第2阱；

配置在所述第2阱內、構成所述開關晶體管的漏極和源極的多個第2導電型的雜質區域；

與所述半導體襯底電連接的第1端子；以及

與所述第2阱以及所述開關晶體管的源極電連接的第2端子。

9.一種電源裝置，其具備：

權利要求5～8中的任意一項所述的半導體裝置；和

連接于第1電源布線與所述半導體裝置的所述輸出端子之間的電感器。

10.根據權利要求9所述的電源裝置，所述電源裝置還具備：

二極管，其具有與所述半導體裝置的所述輸出端子連接的正極；和

連接于所述二極管的負極與第2電源布線之間的電容器。