[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711214162.5 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN107946320B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李巖鋒;于亞楠;徐敬義;趙欣;王曉康;任艷偉;李偉 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置,以減少工藝過程中出現(xiàn)open等不良,提高良率;所述陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域,在非顯示區(qū)域,所述陣列基板包括基板以及設(shè)置在所述基板上的冗余數(shù)據(jù)線和有效數(shù)據(jù)線,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于所述有效數(shù)據(jù)線的寬度;通過在邊緣設(shè)置較寬的冗余數(shù)據(jù)線來吸收曝光、刻蝕工藝過程中在邊緣產(chǎn)生的多余能量或粒子,從而有效地保護(hù)邊緣的冗余數(shù)據(jù)線和有效數(shù)據(jù)線不會曝光過量或過刻,減少工藝過程中出現(xiàn)open等不良,提高良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
窄邊框顯示屏因其簡潔、美觀、相同尺寸可視面積大等優(yōu)點(diǎn),已成為高品質(zhì)顯示屏的主要發(fā)展趨勢,然而隨著產(chǎn)品邊框逐漸變窄,要求在TFT基板上布線更細(xì)且更密。當(dāng)窄邊框產(chǎn)品在SD數(shù)據(jù)線層進(jìn)行布線時,fanout布線區(qū)數(shù)據(jù)線的CD關(guān)鍵尺寸或者Space間距均較小,在工藝過程中很容易出現(xiàn)線路弱連接甚至斷開的情況,極易發(fā)生Open斷路等不良,進(jìn)而造成一定的良率損失。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板和顯示裝置,以減少工藝過程中出現(xiàn)open等不良,提高良率。
為了解決上述問題,本發(fā)明公開了一種陣列基板,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域的陣列基板包括:基板,以及設(shè)置在所述基板上的冗余數(shù)據(jù)線和有效數(shù)據(jù)線,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于所述有效數(shù)據(jù)線的寬度。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線為網(wǎng)格狀。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度與所述有效數(shù)據(jù)線的寬度之差大于0.5μm且小于或等于68μm。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于2.5μm且小于或等于70μm。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于10μm且小于或等于20μm。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線或所述有效數(shù)據(jù)線的材料至少為下列之一:Mo、Al、Ti、Au、Cu、Hf、Ta。
優(yōu)選地,還包括:設(shè)置在所述冗余數(shù)據(jù)線和所述有效數(shù)據(jù)線上的平坦層。
為了解決上述問題,本發(fā)明還公開了一種顯示面板,包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
為了解決上述問題,本發(fā)明還公開了一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
為了解決上述問題,本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域的陣列基板的制備方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成冗余數(shù)據(jù)線和有效數(shù)據(jù)線,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于所述有效數(shù)據(jù)線的寬度。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線為網(wǎng)格狀。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度與所述有效數(shù)據(jù)線的寬度之差大于0.5μm且小于或等于68μm。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于2.5μm且小于或等于70μm。
優(yōu)選地,所述冗余數(shù)據(jù)線的寬度大于10μm且小于或等于20μm。
優(yōu)選地,還包括:在所述冗余數(shù)據(jù)線和所述有效數(shù)據(jù)線上形成平坦層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





