[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201711214100.4 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN108231893B | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發明（設計）人： | 張世杰;李承翰;沙哈吉·B·摩爾 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成一第一鰭狀物與一第二鰭狀物于一基板上，該第二鰭狀物鄰近該第一鰭狀物；
沉積一隔離材料包圍該第一鰭狀物與該第二鰭狀物，該隔離材料的一第一部分位于該第一鰭狀物與該第二鰭狀物之間，該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的上部延伸于該隔離材料的一上表面上；
形成一柵極結構沿該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的側壁與上表面上；
使該柵極結構外部的該第一鰭狀物與該第二鰭狀物形成凹陷，以形成該第一鰭狀物中的一第一凹陷與該第二鰭狀物中的一第二凹陷；
外延生長一第一源極/漏極材料，自該第一鰭狀物的該第一凹陷凸出，以及自該第二鰭狀物的該第二凹陷凸出；以及
外延生長一第二源極/漏極材料于該第一源極/漏極材料上，其中該第二源極/漏極材料生長于該第一源極/漏極材料的相對端的最外表面上的速率較生長于該第一源極/漏極材料的相對端之間的該第一源極/漏極材料的表面上的速率慢，以及其中該第二源極/漏極材料相對于該第一源極/漏極材料具有較高的摻雜濃度。
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