[發明專利]用于邊緣均勻性控制的可調整的延伸電極

在審

• 申請號: 201711213957.4
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108206148A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: O·盧爾;L·多爾夫;R·丁德薩;S·斯里尼瓦杉;D·M·庫薩;J·羅杰斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種用于基板處理腔室的工藝套件，邊緣環包括：

第一環，所述第一環具有頂表面和底表面，所述底表面由基板支撐構件支撐，所述底表面至少部分地延伸到由所述基板支撐構件支撐的基板下方；

可調整調諧環，所述可調整調諧環定位在所述第一環下方，所述可調整調諧環具有頂表面和底表面，所述可調整調諧環的所述頂表面與所述第一環限定可調整的間隙；以及

致動機構，所述致動機構與所述可調整調諧環的所述底表面對接，所述致動機構被配置為更改限定在所述第一環的所述底表面與所述可調整調諧環的所述頂表面之間的所述可調整的間隙。

2.如權利要求1所述的工藝套件，其中所述可調整調諧環由導電材料形成。

3.如權利要求1所述的工藝套件，其中所述可調整的間隙可在0mm與4mm之間調整。

4.如權利要求1所述的工藝套件，其中所述致動機構包括：

升降桿，所述升降桿具有第一端和第二端，并且所述升降桿的所述第一端接觸所述可調整調諧環的所述底表面，所述升降桿的所述第二端與所述升降機構連通。

5.如權利要求1所述的工藝套件，其中所述可調整調諧環包括：

環形主體；

空腔，所述空腔形成在所述環形主體中，所述空腔形成在所述環形主體的底表面中；以及

進出孔口，所述進出孔口形成在所述環形主體中，所述進出孔口從所述可調整調諧環的所述頂表面延伸到所述空腔中。

6.如權利要求5所述的工藝套件，其中所述致動機構是被至少部分地設置在空腔中的螺釘，所述螺釘被配置為旋轉穿過所述進出孔口，以便致動所述可調整調諧環。

7.如權利要求5所述的工藝套件，其中所述空腔具有第一直徑，并且所述進出孔口具有第二直徑，所述第一直徑大于所述第二直徑。

8.如權利要求1所述的工藝套件，其中所述致動機構被配置為控制形成在等離子體與所述邊緣環之間的等離子體殼層的厚度。

9.一種處理腔室，包括：

基板支撐構件，所述基板支撐構件被配置為支撐基板；以及

工藝套件，所述工藝套件由所述基板支撐構件支撐，所述工藝套件包括：

第一環，所述第一環具有頂表面和底表面，所述底表面由所述基板支撐構件支撐，所述底表面至少部分地延伸到由所述基板支撐構件支撐的所述基板下方；

可調整調諧環，所述可調整調諧環定位在所述第一環下方，所述可調整調諧環具有頂表面和底表面，所述可調整調諧環的所述頂表面與所述第一環限定可調整的間隙；以及

致動機構，所述致動機構與所述可調整調諧環的所述底表面對接，所述致動機構被配置為更改限定在所述第一環的所述底表面與所述可調整調諧環的所述頂表面之間的所述可調整的間隙。

10.如權利要求9所述的處理腔室，其中所述可調整調諧環由導電材料形成。

11.如權利要求9所述的處理腔室，其中所述可調整調諧環可在0mm與4mm之間調整。

12.如權利要求9所述的處理腔室，其中所述致動機構包括：

升降桿，所述升降桿具有第一端和第二端，并且所述升降桿的所述第一端接觸所述可調整調諧環的所述底表面，所述升降桿的所述第二端與所述升降機構連通。

13.如權利要求9所述的處理腔室，其中所述可調整調諧環包括：

環形主體；

空腔，所述空腔形成在所述環形主體中，所述空腔形成在所述環形主體的底表面中；以及

進出孔口，所述進出孔口形成在所述環形主體中，所述進出孔口從所述可調整調諧環的所述頂表面延伸到所述空腔中。