[發明專利]一種NiS/C3N4二元復合物及其制備和應用方法

在審

• 申請號: 201711213554.X
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN107892284A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 孟建玲;謝愛松
• 申請（專利權）人: 銅仁學院
• 主分類號: C01B21/082
• 分類號: C01B21/082;C01G53/11;C01B3/04;B01J27/24
• 代理公司: 東莞市中正知識產權事務所(普通合伙)44231
• 代理人: 張萍

1.一種NiS/C₃N₄二元復合物，其特征在于：所述的NiS/C₃N₄二元復合物是由NiS納米顆粒負載到層狀孔結構的C₃N₄上復合而成，所述的復合物中NiS的質量百分比的范圍是0.5～10 wt%。

2.一種NiS/C₃N₄二元復合物，其特征在于：所述的復合物中NiS和C₃N₄的質量百分比范圍分別為0.5～10 wt%和90～99.5 wt%。

3.一種NiS/C₃N₄二元復合物的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）、C₃N₄的制備：把5g硫脲研磨均勻后，轉移進石英坩堝，升溫煅燒得到C₃N₄光催化劑；

（2）、NiS/C₃N₄二元復合物的制備：把5g硫脲、一定量的硝酸鎳研磨混合均勻后，轉移進石英坩堝，升溫煅燒得到NiS/C₃N₄光催化劑。

4.根據權利要求3所述的一種NiS/C₃N₄二元復合物的制備方法，其特征在于：

步驟（1）中將5g硫脲研磨均勻后，放置于半封閉的石英坩堝中，在馬弗爐中于10^oC/min程序升溫到300～700 ^oC 煅燒2～4 h，得到C₃N₄光催化劑。

5.根據權利要求3所述的一種NiS/C₃N₄二元復合物的制備方法，其特征在于：按照催化劑中NiS的負載量為0.5～10 wt%，把5g硫脲、一定量的硝酸鎳研磨混合均勻后，轉移進半封閉的石英坩堝中，放置于10^oC/min程序升溫到300～700 ^oC 煅燒2～4 h，得到NiS/C₃N₄光催化劑。

6.根據權利要求3所述的一種NiS/C₃N₄二元復合物的制備方法，其特征在于：坩堝蓋半密封，防止反應物升華。

7.一種NiS/C₃N₄二元復合物的應用方法，其特征在于，所使用的可見光波長范圍是420 — 750nm。

8.根據權利要求7所述的一種NiS/C₃N₄二元復合物的應用方法，其特征在于，所述的NiS/C₃N₄復合材料用于可將光催化分解水制備氫氣。