[發明專利]多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器及其制造方法在審
| 申請號： | 201711213278.7 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN107783220A | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 黃喆;陳孝平 | 申請（專利權）人： | 浙江科技學院 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 杭州新源專利事務所(普通合伙)33234 | 代理人： | 丁海華 |
| 地址： | 310013 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層 金屬線 結構 薄膜 寬帶 赫茲 偏振 及其 制造 方法 | ||
1.多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器，其特征在于：包括薄膜襯底(1)，在薄膜襯底(1)上方設有薄膜覆蓋層(2)，在薄膜覆蓋層(2)內設有多層由金屬線(3)周期間隔設置組成的金屬線柵(4)，且相鄰層的金屬線柵(4)交叉設置。
2.根據權利要求1所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器，其特征在于：在薄膜襯底(1)的底部設有銅片托架(5)，銅片托架(5)中部設有通光圓孔(6)，銅片托架(5)的下方設有薄膜基底(7)。
3.根據權利要求1所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器，其特征在于：所述的金屬線(3)選自鋁線、金線、銀線或鉻線。
4.根據權利要求1所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器，其特征在于：所述的薄膜覆蓋層(2)內設有三層平行設置的金屬線柵(4)。
5.根據權利要求1所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器，其特征在于：所述的薄膜襯底、薄膜覆蓋層和薄膜基底為薄膜材料，且為Epocore薄膜材料。
6.根據權利要求1至5任一項所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器的制造方法，其特征在于：具體包括以下步驟：
a、取一銅片，在銅片的表面旋涂一層薄膜，再在該薄膜上沉積一層鋁線柵；
b、繼續旋涂一層薄膜，再在該薄膜上沉積一層與前一層金屬線柵相平行的金屬線柵，且該層金屬線柵和前一層金屬線柵呈交叉設置；重復該步驟再沉積多層金屬線柵；
c、最后旋涂一層薄膜封裝多層金屬線柵結構；
d、在純銅片的底面旋涂一層薄膜，對薄膜進行軟烘干，再在該薄膜的中心部分用光刻技術開設一圓孔；
e、置于三氯化鐵溶液中，加溫至70～80攝氏度，腐蝕掉露出的銅片，即得到成品。
7.根據權利要求6所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器的制造方法，其特征在于：步驟a中，在薄膜上用微光刻技術和濕法腐蝕技術沉積一層鋁線柵。
8.根據權利要求6所述的多層金屬線柵結構薄膜寬帶太赫茲偏振器的制造方法，其特征在于：步驟e中，腐蝕掉露出的銅片后，進行去離子水清洗和烘干，貼到角度旋轉座上，即得成品。
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