[發明專利]LED封裝結構有效
| 申請號: | 201711211404.5 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN108011007B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 尹曉雪 | 申請(專利權)人: | 劉瓊 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京鼎德寶專利代理事務所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人: | 牟炳彥 |
| 地址: | 317000 浙江省臺*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 封裝 結構 | ||
本發明涉及一種LED封裝結構,包括:底層結構(10),包括:散熱基板和芯片,所述芯片固接于所述散熱基板上,其中,所述散熱芯片具有斜圓槽表面。透鏡結構(20),設置于所述底層結構(10)之上,所述透鏡結構(20)包括:中間透鏡層和第二透鏡單元(22),所述第二透鏡單元(22)設置于所述中間透鏡層之上,其中,所述中間透鏡層包括多個層疊設置的第一透鏡單元(21)。本發明LED封裝結構散熱基板上具有中間斜圓槽,在強度不變的情況下降低了散熱基板的制作成本,且中間斜圓槽可以增加空氣流通通道,利用煙囪效應提升空氣的熱對流速率,增加了散熱效果。
技術領域
本發明屬于LED技術領域,具體涉及一種LED封裝結構。
背景技術
大功率LED封裝由于結構和工藝復雜,并直接影響到LED的使用性能和壽命,一直是近年來的研究熱點,特別是照明級大功率LED散熱封裝更是研究熱點中的熱點,隨著大功率LED芯片性能的迅速提高,功率型LED 的封裝技術不斷改進以適應形勢的發展,從開始的引線框架式封裝到多芯片陣列組裝,再到如今的3D陣列式封裝,其輸入功率不斷提高,而封裝熱阻顯著降低。為了推動LED在普通照明領域的發展,迸一步改善LED封裝的熱管理將是關鍵之一。在封裝過程中LED芯片、金線、封裝樹脂、透鏡、以及芯片熱沉等各個環節,散熱問題都必須很好地重視。
因此,如何研制合適的結構和材料、制備工藝和參數來設計和制備低接口熱阻、高散熱性能的封裝結構對于未來大功率LED封裝的散熱性能的提高和發展具有非常現實的意義。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明提供了一種LED封裝結構。
本發明的一個實施例提供了一種LED封裝結構,包括:
底層結構10,包括:散熱基板和芯片,所述芯片固接于所述散熱基板上,其中,所述散熱芯片具有斜圓槽表面;
透鏡結構20,設置于所述底層結構10之上,所述透鏡結構20包括:中間透鏡層和第二透鏡單元22,所述第二透鏡單元22設置于所述中間透鏡層之上,其中,所述中間透鏡層包括多個層疊設置的第一透鏡單元21。
在本發明的一個實施例中,所述芯片為RGB三基色LED燈芯。
在本發明的一個實施例中,所述散熱基板表面的斜圓槽與散熱基板表面的夾角的取值范圍為1~10度。
在本發明的一個實施例中,所述第一透鏡單元21包括:第一下硅膠層 211、第一透鏡層212、第一上硅膠層213,其中,所述第一透鏡層212包括多個透鏡球。
在本發明的一個實施例中,所述多個透鏡球呈菱形或者矩形均勻排列在所述第一下硅膠層211和所述第一上硅膠層213內。
在本發明的一個實施例中,所述透鏡球的半徑R大于10μm。
在本發明的一個實施例中,所述透鏡球之間的間距A大于5μm。
在本發明的一個實施例中,所述中間透鏡層從所述底層結構到所述第二透鏡單元22方向折射率依次遞增。
在本發明的一個實施例中,所述第二透鏡單元22包括:第二下硅膠層 221、第二透鏡層222、第二上硅膠層223,其中,所述第一上硅膠層223 的上表面為弧形。
在本發明的一個實施例中,所述第二上硅膠層223的折射率小于1.5。
本發明實施例的有益效果如下:LED封裝結構的散熱基板上具有中間斜圓槽,在強度不變的情況下降低了散熱基板的制作成本,且中間斜圓槽可以增加空氣流通通道,利用煙囪效應提升空氣的熱對流速率,增加了散熱效果。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種LED封裝結構的剖面結構示意圖;
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