[發(fā)明專利]一種輻射探測器的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711210753.5
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN107978655A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王麟;徐青
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北京邦科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/08;G01T1/202;G01T1/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1,提供半導(dǎo)體裸晶圓；

S2,采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝對所述半導(dǎo)體裸晶圓進(jìn)行加工制造，在所述半導(dǎo)體裸晶圓上制作光電器件，形成光電器件晶圓；

S3,在所述光電器件晶圓含有光電器件的一側(cè)上生長閃爍晶體；

S4,在所述閃爍晶體之上淀積防潮層；

S5,在含有閃爍晶體和防潮層的晶圓上制作芯片管腳，形成輻射探測器晶圓；

S6,對所述輻射探測器晶圓進(jìn)行切割，形成最終的輻射探測器產(chǎn)品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，在步驟S2和步驟S3之間，還包括如下步驟：在所述光電器件晶圓含有光電器件的一側(cè)上生長抗反射涂層；步驟S3相應(yīng)地為：在所述抗反射涂層上生長閃爍晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，在步驟S3和步驟S4之間，還包括如下步驟：在閃爍晶體上刻蝕溝槽，所述溝槽與所述光電器件晶圓上的劃片道一一對應(yīng)；步驟S4相應(yīng)地為：在所述溝槽內(nèi)以及所述閃爍晶體之上淀積防潮層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，在步驟S4和步驟S5之間，還包括如下步驟：對含有閃爍晶體和防潮層的晶圓底部的半導(dǎo)體層進(jìn)行減薄；步驟S5相應(yīng)地為：在所述減薄的晶圓上制作芯片管腳，形成輻射探測器晶圓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，步驟S2中，所述標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝為標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝；所述光電器件為硅光電倍增器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，步驟S3中，所述閃爍晶體為碘化鈉、碘化銫、氟化鋇、氟化鈣、鍺酸鉍、鎢酸鉻、鎢酸鉛、鋁酸釔、硅酸扎、硅酸镥中的一種或幾種；所述生長方式為化學(xué)氣相淀積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，步驟S4中，所述防潮層由鈦、鋁、鎳、氟化鎂、氧化硅、氟化鋁、氧化鈦中的一種或幾種材料構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射探測器的制造方法，其特征在于，步驟S5中，所述芯片管腳的制作采用硅通孔的方式進(jìn)行。