[發明專利]半導體裝置及半導體裝置制造方法

在審

• 申請號: 201711210676.3
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN108257939A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 今井誠
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周爽;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體芯片；

第一電極對；

第一引線組，其具有以并列的方式電連接在所述第一電極對的電極之間的多個鍵合線和

密封部，其對所述半導體芯片、所述第一電極對及所述第一引線組進行注塑密封，

所述第一引線組的多個鍵合線以伴隨著從與所述半導體芯片的面的面內方向平行的第一方向的近前側朝向里側而變長、并且在從所述第一方向觀察時近前側的鍵合線的各部位處的高度不超過里側的鍵合線的對應部位處的高度的形狀進行接線。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

具有第一導體，所述第一導體包含所述第一電極對的一個電極，

所述第一電極對的另一個電極設置于所述半導體芯片。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一引線組的多個鍵合線以伴隨著從所述第一方向的近前側朝向里側而相對于所述半導體芯片的面階梯狀地變高的形狀進行接線。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一引線組的多個鍵合線中的、相鄰的鍵合線彼此之間的線環高度的差值是鍵合線的直徑的1/2以上。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一引線組的多個鍵合線中的至少一個鍵合線朝向所述第一方向的里側傾斜。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有引線框架，所述引線框架以成為一體的方式包括所述第一電極對的一個電極及向所述密封部的外部露出的外部端子。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一電極對的另一個電極是所述半導體芯片的電源電極或接地電極。

8.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述密封部在所述第一方向的近前側的端部具有注塑材料的注入痕跡。

9.如權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一電極對的電極彼此之間僅利用所述第一引線組的多個鍵合線而引線鍵合。

10.如權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有：

第二電極對；和

第二引線組，其具有以并列的方式電連接在所述第二電極對的電極之間的多個鍵合線，

所述第二引線組的多個鍵合線以伴隨著從所述第一方向的近前側朝向里側而變長、并且在從所述第一方向觀察時近前側的鍵合線的各部位處的高度不超過里側的鍵合線的對應部位處的高度的形狀進行接線。

11.一種半導體裝置制造方法，其特征在于，具有：

固定工序，固定第一電極對的電極彼此的相對位置；

連接工序，利用包含多個鍵合線的第一引線組以并列的方式電連接在所述第一電極對的電極之間；

密封工序，從第一方向向容納半導體芯片、所述第一電極對及所述第一引線組的注塑模具注入注塑材料而進行密封；

所述第一引線組的多個鍵合線以伴隨著從所述第一方向的近前側朝向里側而變長、并且在從所述第一方向觀察時近前側的鍵合線的各部位處的高度不超過里側的鍵合線的對應部位處的高度的形狀進行接線。

12.如權利要求11所示的半導體裝置制造方法，其特征在于，

所述第一引線組的多個鍵合線中的彼此相鄰的鍵合線彼此具有所述第一方向的近前側的鍵合線能夠倒入到在所述第一方向的里側相鄰的鍵合線的下方的形狀。

13.如權利要求11或12所示的半導體裝置制造方法，其特征在于，

還具有切斷工序，在所述切斷工序中，切斷在所述密封工序中被注塑密封而成的密封部中的注塑材料的注入部位。