[發(fā)明專利]整流器以及使用了該整流器的交流發(fā)電機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711209759.0 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN108123623B | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 石丸哲也;森睦宏;栗田信一 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立功率半導體 |
| 主分類號： | H02M7/217 | 分類號： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 孫蕾 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 整流器 以及 使用 交流 發(fā)電機 | ||
1.一種整流器，具備：
進行整流的MOSFET；
控制電路，輸入所述MOSFET的一對主端子間的電壓，根據(jù)所輸入的所述一對主端子間的電壓來驅動所述MOSFET的導通及截止；以及
電源，對所述控制電路供給電源電壓，
所述整流器的特征在于，
具有保持電路，該保持電路的輸出與所述MOSFET的柵極連接，該保持電路在所述控制電路的內部的觸發(fā)電壓為第1電壓以上時使所述MOSFET的柵極升壓，在所述控制電路的內部的觸發(fā)電壓為比所述第1電壓小的第2電壓以上的期間，不管所述一對主端子間的電壓大小的變化如何都保持該升壓的狀態(tài)。
2.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述電源為電容器。
3.根據(jù)權利要求2所述的整流器，其特征在于，
所述整流器僅具有與所述進行整流的MOSFET的一對主端子連接的一對外部端子。
4.根據(jù)權利要求2所述的整流器，其特征在于，
所述觸發(fā)電壓為所述電容器的電壓。
5.根據(jù)權利要求4所述的整流器，其特征在于，
在所述電容器的電壓為比所述第1電壓小的第2電壓以下時使所述MOSFET的柵極降壓。
6.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述控制電路具備齊納二極管，
通過所述齊納二極管的驅動來探測所述觸發(fā)電壓為所述第1電壓以上這一情況。
7.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述保持電路包括閂鎖電路。
8.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述整流器具備與所述進行整流的MOSFET并聯(lián)地連接的齊納二極管。
9.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述控制電路具備判定電路，
所述整流器具備切斷電路，在所述觸發(fā)電壓為所述第1電壓以上時，該切斷電路電切斷所述電源和所述判定電路。
10.根據(jù)權利要求1所述的整流器，其特征在于，
所述控制電路具備柵極驅動電路，
所述整流器具備切斷短路電路，在所述觸發(fā)電壓為所述第1電壓以上時，該切斷短路電路電切斷所述電源和所述柵極驅動電路，使所述柵極驅動電路的電源電壓端子與所述MOSFET的源極端子短路，
所述觸發(fā)電壓為所述MOSFET的漏極的電壓。
11.一種整流器，具備：
進行整流的MOSFET；
控制電路，輸入所述MOSFET的一對主端子間的電壓，根據(jù)所輸入的所述一對主端子間的電壓來驅動所述MOSFET的導通及截止；以及
電源，對所述控制電路供給電源電壓，
所述整流器的特征在于，
所述整流器具有保持電路，該保持電路的輸出與所述MOSFET的柵極連接，該保持電路在所述控制電路的內部的觸發(fā)電壓為第1電壓以上時使所述MOSFET的柵極升壓而使所述MOSFET導通，在所述控制電路的內部的觸發(fā)電壓為比所述第1電壓小的第2電壓以上的期間，不管所述一對主端子間的電壓大小的變化如何都保持該導通的狀態(tài)。
12.根據(jù)權利要求11所述的整流器，其特征在于，
所述電源為電容器。
13.根據(jù)權利要求12所述的整流器，其特征在于，
所述整流器僅具有與所述進行整流的MOSFET的一對主端子連接的一對外部端子。
14.根據(jù)權利要求12所述的整流器，其特征在于，
所述觸發(fā)電壓為所述電容器的電壓。
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