[發明專利]顯示設備有效
| 申請號： | 201711209703.5 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN108155195B | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | 劉敏鉆 | 申請（專利權）人： | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備，其特征在于，包括：
一第一基板，具有一顯示區以及與該顯示區相鄰的一周邊區；
一第一晶體管，設置于該顯示區之上并且包括一第一通道層，其中該第一通道層包括一氧化物半導體層；以及
一第二晶體管，設置于該周邊區之上并且包括一第二通道層，其中該第二通道層包括一硅半導體層；
其中，該第一通道層的第一通道寬度與該第一通道層的第一通道長度的比值為第一比值，該第二通道層的第二通道寬度與該第二通道層的第二通道長度的比值為第二比值；
其中，該第一比值大于或等于0.4并且小于或等于4.5，該第二比值大于或等于0.09并且小于或等于0.45；
其中，該第二晶體管進一步包括一第二源極和一第二漏極，該第二源極和該第二漏極各自通過一接觸孔與該第二通道層電性連接，該第二通道寬度是該等接觸孔的最大寬度，以及該第二通道長度是該等接觸孔間的最小距離；
其中，該第一晶體管進一步包括一第一源極和一第一漏極，該第一源極具有一第一源極寬度，該第一漏極具有一第一漏極寬度；以及該第一通道寬度定義為該第一源極寬度和該第一漏極寬度的平均值。
2.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一比值大于或等于0.75并且小于或等于2.5。
3.如權利要求2所述的顯示設備，其特征在于，該第一比值大于或等于1并且小于或等于2.5。
4.如權利要求2所述的顯示設備，其特征在于，該第一比值大于或等于0.75并且小于或等于1.5，以及該第二比值大于或等于0.3。
5.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一晶體管進一步包括一第一柵極，該第一柵極包括一第一重迭區，該第一重迭區與該第一通道層重迭；該第二晶體管進一步包括一第二柵極，該第二柵極包括一第二重迭區，該第二重迭區與該第二通道層重迭；以及，該第一重迭區大于該第二重迭區。
6.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一晶體管進一步包括一第一柵極，該第一柵極設置于該第一通道層之下，該第二晶體管進一步包括一第二柵極，該第二柵極設置于該第二通道層之上。
7.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一晶體管進一步包括一第一源極和一第一漏極，并且該第一通道長度為該第一源極和該第一漏極間的最小距離。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
