[發明專利]掩膜版及薄膜封裝方法在審
| 申請號: | 201711208519.9 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN108004521A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發明(設計)人: | 杜驍;陳永勝 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 薄膜 封裝 方法 | ||
1.一種掩膜版,其特征在于,包括遮蔽區和開口區,所述遮蔽區圍繞所述開口區設置,所述開口區的形狀和位置對應亞像素的成膜區和部分綁定區,以使通過所述開口區的薄膜封裝材料覆蓋所述亞像素的成膜區和部分綁定區,并露出FPC和測試接口。
2.如權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述遮蔽區包括外框和從所述外框底邊中部向所述開口區內部突出的擋塊,以使所述開口區在所述擋塊兩側分別形成第一開口和第二開口,所述擋塊用于遮擋亞像素上的FPC區域。
3.如權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述擋塊為矩形,所述遮蔽區內部左右兩邊、頂邊和底邊的所述擋塊上沿的延伸共同圍合形成所述開口區的矩形區域,所述第一開口和所述第二開口為矩形且寬度相同。
4.如權利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述遮蔽區內部左右兩邊和頂邊對應所述亞像素的成膜區的對應位置向外偏移100~500μm,所述遮蔽區內部底邊距離所述綁定區上沿100~500μm。
5.如權利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述擋塊上沿距離所述綁定區下沿100~500μm。
6.如權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版的厚度為0.01~0.3mm。
7.如權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述開口區為兩個以上,多個所述開口區間隔設置。
8.如權利要求7所述的掩膜版,其特征在于,所述開口區在所述掩膜版上陣列排列。
9.一種薄膜封裝方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
提供掩膜版,所述掩膜版包括遮蔽區和開口區,所述遮蔽區圍繞所述開口區設置,所述開口區的形狀和位置對應亞像素的成膜區和部分綁定區,以使通過所述開口區的薄膜封裝材料覆蓋所述亞像素的成膜區和部分綁定區,并露出FPC和測試接口,并進入下一制程站點;
將所述掩膜版與玻璃基板對位并緊貼;
薄膜封裝,輸入薄膜封裝材料并通過所述掩膜版的開口區在所述玻璃基板上形成封裝保護膜;
將所述掩膜版和所述玻璃基板分離,檢查所述玻璃基板上形成的薄膜狀況。
10.如權利要求9所述的薄膜封裝方法,其特征在于,所述掩膜版先鍍制耐腐蝕保護膜再進入下一制程站點。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





