[發明專利]一種金屬互連結構的制備工藝

在審

• 申請號: 201711208507.6
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107946238A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 毛曉明;高晶;葉偉;耿靜靜;胡小龍;蘇林
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司11619
• 代理人: 佟林松

1.一種金屬互連結構的制備工藝，其特征在于包括以下步驟：

在層間介質層的表面依次沉積犧牲層、鈍化層和光刻層；

進行光刻以去除待刻蝕位置的光刻層，形成光刻溝道；

進行刻蝕以形成金屬互連層溝道，并隨后去除光刻層；

在金屬互連層溝道先沉積一層金屬籽晶層；

沉積金屬互連層以充滿溝道；

平坦化所述金屬互連層，并露出犧牲層；

去除犧牲層以形成空氣隙(Air Gap)

沉積阻擋層以覆蓋金屬互連層和空氣隙。

2.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述犧牲層為氮化硅。

3.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述金屬為銅(Cu)。

4.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述沉積一層金屬籽晶層，采用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)工藝。

5.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述沉積金屬互連層，采用電化學鍍(Electrochemical Plating，簡稱ECP)工藝。

6.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述平坦化金屬互連層，采用化學機械研磨工藝(CMP)。

7.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述去除犧牲層，采用磷酸溶液的濕法刻蝕工藝。

8.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述阻擋層為碳氮化硅。

9.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述層間介質層為碳氮化硅。

10.根據權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：

所述鈍化層為氧化硅。