[發(fā)明專利]對(duì)溝槽和孔進(jìn)行銅填充工藝的指導(dǎo)研究方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711208496.1
• 申請(qǐng)日: 2017-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107993980B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李遠(yuǎn);潘杰;馬亮;呂術(shù)亮;章星;萬(wàn)先進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.對(duì)溝槽和孔進(jìn)行銅填充工藝的指導(dǎo)研究方法，其特征在于，包括以下步驟：

設(shè)定沉積條件，使用物理氣相沉積機(jī)臺(tái)對(duì)不同的基片進(jìn)行銅沉積，分別算出不同沉積偏壓P₁～P_n下銅的消減比，建立沉積偏壓與銅的消減比之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，n為大于1的自然數(shù)；

保持沉積條件不變，使用物理氣相沉積機(jī)臺(tái)對(duì)溝槽或孔進(jìn)行銅沉積，分別測(cè)量不同沉積偏壓P₁～P_n下，溝槽或孔的頂端、側(cè)壁和底部的沉積的銅薄膜的厚度，分別計(jì)算其臺(tái)階覆蓋率，建立沉積偏壓與金屬銅在溝槽或孔內(nèi)的沉積刻蝕形貌的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

通過(guò)對(duì)比偏壓與金屬銅的消減比之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及沉積偏壓與金屬銅在溝槽或孔內(nèi)的沉積刻蝕形貌的對(duì)應(yīng)關(guān)系，建立在所述設(shè)定沉積條件下消減比與金屬銅在溝槽或孔內(nèi)的沉積刻蝕形貌的對(duì)應(yīng)關(guān)系；

選擇不同的消減比，使用物理氣相沉積機(jī)臺(tái)分步對(duì)溝槽或者孔進(jìn)行銅填充；其中，建立沉積偏壓與金屬銅的消減比之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的步驟包括：

利用公式EDR＝(THK D-THK DCE)/THK D計(jì)算某一沉積偏壓下銅的消減比；

其中，EDR為沉積條件下，某一沉積偏壓下銅的消減比；

THK D為沉積條件下，不加偏壓時(shí)，銅在基片上的沉積厚度；

THK DCE為沉積條件下，先不加偏壓沉積，然后再加載所述某一沉積偏壓沉積時(shí)，銅在基片上的沉積厚度；其中，所述先不加偏壓沉積的時(shí)間與所述再加載所述某一沉積偏壓沉積的時(shí)間均與銅在基片上的沉積厚度THK D的形成時(shí)間相同。

2.如權(quán)利要求1所述的指導(dǎo)研究方法，其特征在于，

P₁～P_n的取值范圍均位于0～1200W之間。

3.如權(quán)利要求1或2所述的指導(dǎo)研究方法，其特征在于，

所述溝槽或孔的線寬為20～30nm。

4.如權(quán)利要求1所述的指導(dǎo)研究方法，其特征在于，對(duì)溝槽或者孔進(jìn)行銅填充的步驟包括：

根據(jù)消減比位于0.8～1之間、0.3～0.8之間以及0～0.3之間所對(duì)應(yīng)的沉積刻蝕形貌，選擇一種或多種消減比分別對(duì)溝槽或者孔進(jìn)行銅填充。