[發明專利]一種硅片LD缺陷檢測方法及裝置

有效

• 申請號: 201711206191.7
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN108038841B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 李陽;周璐;李銘
• 申請（專利權）人: 浙江華睿科技有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136;G06T7/66;G01N21/88
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明公開了一種硅片LD缺陷檢測方法及裝置，所述方法包括：將硅片圖像中硅片對應的圖像區域劃分為至少兩個第一子區域，確定每個第一子區域對應的梯度均值；針對每個第一子區域，判斷該第一子區域對應的梯度均值是否大于預設的梯度閾值；如果是，確定硅片與該第一子區域對應的位置存在LD缺陷。由于在本發明實施例中，將硅片圖像中硅片對應的圖像區域劃分為至少兩個第一子區域，根據每個第一子區域對應的梯度均值是否大于預設的梯度閾值，確定硅片與每個第一子區域對應的位置是否存在LD缺陷，無需對硅片圖像中硅片對應的圖像區域進行閾值分割及對比度增強，避免了硅片背景紋理的干擾，提高了硅片LD缺陷的檢測精度。

技術領域

本發明涉及圖像處理技術領域，尤其涉及一種硅片車削線痕(LD)缺陷檢測方法及裝置。

背景技術

硅片是一種制造太陽能電池板的基礎材料，由硅棒經切片、磨片、拋光等工序獲得，硅片的質量好壞直接決定著太陽能電池板的性能。硅片的LD缺陷是指硅片在磨削加工過程中產生的，具有規律性的且對比度高于背景紋理的紋理缺陷，具體由一組組等間隔明暗交替的直條紋組成。

現有硅片LD缺陷的檢測，主要是對硅片圖像進行閾值分割，提取硅片圖像中灰度值大于預設閾值的像素點，并根據提取的像素點是否能構成連通域，確定是否存在LD缺陷。然而由于硅片的背景紋理較重，且LD缺陷的紋理較硅片的背景紋理區別不是很明顯，很容易造成漏檢。另外在對硅片圖像進行閾值分割時也會使用對比度增強的方法，但是因為硅片表面也具有背景紋理，對比度增強也會提高背景紋理的噪聲干擾，進一步造成檢測精度下降。

發明內容

本發明提供一種硅片LD缺陷檢測方法及裝置，用以解決現有技術中硅片LD缺陷檢測的精度不高的問題。

本發明公開了一種硅片LD缺陷檢測方法，所述方法包括：

將硅片圖像中硅片對應的圖像區域劃分為至少兩個第一子區域，確定每個第一子區域對應的梯度均值；

針對每個第一子區域，判斷該第一子區域對應的梯度均值是否大于預設的梯度閾值；如果是，確定硅片與該第一子區域對應的位置存在LD缺陷。

進一步地，所述確定每個第一子區域對應的梯度均值包括：

針對每個第一子區域中的每個像素點，根據該像素點在所述硅片圖像的橫軸方向上的第一梯度值和縱軸方向上的第二梯度值的和，確定該像素點的梯度值；

針對每個第一子區域，根據該第一子區域中每個像素點的梯度值的平均值，確定該第一子區域對應的梯度均值。

進一步地，如果存在對應的梯度均值不大于預設的梯度閾值的第一子區域，將該第一子區域作為第二子區域，所述方法還包括：

針對每個第二子區域，對該第二子區域中的每個像素點在每個預設角度進行梯度投影，確定該第二子區域在每個預設角度梯度投影的方差；判斷該第二子區域在每個預設角度梯度投影的方差是否均小于預設的方差閾值；如果否，確定硅片與該第二子區域對應的位置存在LD缺陷。

進一步地，所述方法還包括：

記錄存在LD缺陷的子區域在所述硅片圖像中的坐標。

進一步地，所述將硅片圖像中硅片對應的圖像區域劃分為至少兩個第一子區域之前，所述方法還包括：

識別所述硅片圖像中硅片對應的圖像區域的半徑，根據預設的半徑系數及所述硅片對應的圖像區域的半徑，確定硅片對應的中心區域的半徑；

根據所述硅片對應的中心區域的半徑，去除硅片對應的圖像區域中硅片對應的中心區域，確定硅片圖像中硅片對應的目標圖像區域；

所述將硅片圖像中硅片對應的圖像區域劃分為至少兩個第一子區域包括：

將所述硅片對應的目標圖像區域劃分為至少兩個第一子區域。