[發(fā)明專利]垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構及其制造方法

有效

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• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN109841707B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設計）人: 陳亞理;王起明;涂家瑋;鐘承育;馮祥銨
• 申請（專利權）人: 晶呈科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王戈

1.一種垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構，包含：

一金屬組合基板，其包含一第一金屬層，及兩層第二金屬層分別位于該第一金屬層的上、下表面上，該第一金屬層及各該第二金屬層通過切割、真空加熱及研磨拋光的方式組合，以使該金屬組合基板具有高熱傳導系數、低熱膨脹系數與初始磁導率；以及

一磊晶電極層，其位于該金屬組合基板上，該第一金屬層為鎳鐵合金，該第二金屬層為銅，該金屬組合基板的該第二金屬層、該第一金屬層、該第二金屬層的厚度比為1：(2.5～3.5)：1。

2.根據權利要求1的垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構，其中該磊晶電極層更包含：

一連接金屬層，其位于該金屬組合基板上；及

至少一磊晶晶粒，其位于該連接金屬層上，每一該磊晶晶粒上具有一電極單元。

3.根據權利要求1的垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構，其中該金屬組合基板的厚度小于或等于200μm。

4.根據權利要求1的垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構，其中該切割為雷射切割，該研磨拋光為化學機械研磨或銅金屬拋光方法。

5.根據權利要求1的垂直型發(fā)光二極管晶粒的結構，其中該金屬組合基板通過該初始磁導率以使該磊晶電極層導通一微電流。

6.一種垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，包含：

提供一生長基板，并在該生長基板上形成一磊晶層；

提供一金屬組合基板，其經由切割、真空加熱及研磨拋光形成，其中該金屬組合基板更包含一第一金屬層及分別位于該第一金屬層的上、下表面上的兩層第二金屬層；

在該金屬組合基板上形成連接金屬層，該金屬組合基板通過該連接金屬層以接合至該磊晶層上；

去除該生長基板；

在該磊晶層頂部表面上設置多個電極單元；以及

對應各該電極單元的數量進行分割，以使該金屬組合基板上形成多個磊晶晶粒，該第一金屬層為鎳鐵合金，該第二金屬層為銅，該金屬組合基板的該第二金屬層、該第一金屬層、該第二金屬層的厚度比為1：(2.5～3.5)：1。

7.根據權利要求6所述的垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其中形成各該磊晶晶粒后，更能夠根據各該磊晶晶粒的組數進行分割，并通過打線及封裝，以形成發(fā)光二極管。

8.根據權利要求7所述的垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其中該發(fā)光二極管具有無線生電功能，以進行無線發(fā)光。

9.根據權利要求6所述的垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其中該金屬組合基板具有高熱傳導系數、低熱膨脹系數與初始磁導率。

10.根據權利要求6所述的垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其中該金屬組合基板的厚度小于或等于200μm。

11.根據權利要求6所述的垂直型發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其中該生長基板通過化學溶液或雷射方法去除。