[發明專利]一種頂柵TFT基板、顯示器件及TFT基板的制備方法

有效

• 申請號: 201711205308.X
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107833894B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 程磊磊;陳曉春;胡迎賓;劉軍;方金鋼;張揚;李廣耀;王東方;李偉;蘇同上;趙策;丁遠奎;成軍
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

1.一種頂柵結構TFT基板，其特征在于，包括：

基板；

布置在所述基板上的薄膜晶體管；以及

布置在所述基板與所述薄膜晶體管之間的光功能層，所述光功能層包括齊平相接的絕緣型透光層和導電型遮光層，所述薄膜晶體管在垂直于所述基板方向上的投影位于所述遮光層的區域內，且所述透光層的材料為遮光層的材料的氧化物；

緩沖層，布置在所述基板與所述光功能層之間；

布置在所述薄膜晶體管與所述光功能層之間的第一絕緣層，以及布置在所述第一絕緣層內的第一電容電極，所述第一電容電極至少能夠與所述遮光層形成電容。

2.根據權利要求1所述的頂柵結構TFT基板，其特征在于，所述第一絕緣層與所述透光層由同一材料形成。

3.根據權利要求1所述的頂柵結構TFT基板，其特征在于，所述透光層由鉭氧化物形成，所述遮光層由金屬鉭形成。

4.根據權利要求1所述的頂柵結構TFT基板，其特征在于，還包括布置在所述第一絕緣層上方的第二絕緣層，所述第二絕緣層內布置有第二電容電極，所述第二電容電極至少能夠與所述遮光層形成電容。

5.一種顯示器件，其特征在于，包括如權利要求1-4中任一項所述的頂柵結構TFT基板。

6.一種頂柵結構TFT基板的制備方法，其特征在于，包括：

制備基板；

在所述基板上形成導電型遮光層；

對所述遮光層的第一區域進行氧化處理形成絕緣型透光層；以及

在所述遮光層的第二區域上方布置薄膜晶體管；其中，

在所述基板與所述遮光層之間形成緩沖層；

至少在所述第二區域布置與所述遮光層相同的材料層并進行氧化處理形成第一絕緣層，所述薄膜晶體管布置在所述第一絕緣層上；在所述第一絕緣層內布置第一電容電極，所述第一電容電極至少能夠與所述遮光層形成電容。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成導電型遮光層具體包括：

在所述基板上形成鉭金屬層。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述對所述遮光層的第一區域進行氧化處理形成絕緣型透光層之前，所述方法還包括：

在所述遮光層上布置光刻膠；

保留所述第二區域上的光刻膠，并去除所述第一區域上的光刻膠，

在所述對所述遮光層的第一區域進行氧化處理形成絕緣型透光層之后，所述方法還包括：剝離所述第二區域上的光刻膠。