[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201711205277.8 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109326515A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發明（設計）人： | 邱詩航;吳仲強;李家慶;李達元;蘇慶煌 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 虛設柵極結構 半導體裝置 柵極介電層 導電層 介電層 凹陷 化學物質處理 半導體鰭 相對兩側 側壁 含氟 移除 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
在一半導體鰭上形成一虛設柵極結構；
在該虛設柵極結構的相對兩側形成一介電層；
移除該虛設柵極結構，以在該介電層中形成一凹陷；
在該凹陷的側壁和一底部上依序形成一柵極介電層和至少一導電層；以及
用一含氟的化學物質處理該柵極介電層和該至少一導電層。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
