[發(fā)明專利]一種電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路和抵消方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711205212.3 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN107800435B | 公開（公告）日： | 2023-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘少輝;胡勝發(fā) | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州安凱微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03M1/10 | 分類號： | H03M1/10 |
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| 地址： | 510555 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電容 陣列 寄生 效應(yīng) 補償 電路 抵消 方法 | ||
1.一種電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，應(yīng)用于差分電路，所述差分電路的同相輸入端連接第一電容陣列，所述差分電路的反相輸入端連接第二電容陣列，所述補償電路包括：
第一補償電容、第二補償電容、第一采樣開關(guān)、第二采樣開關(guān)、第三采樣開關(guān)、第四采樣開關(guān)、第一端口開關(guān)、第二端口開關(guān)；
所述差分電路的同相信號采樣端連接所述第一端口開關(guān)的第一端，所述第一端口開關(guān)的第二端連接所述差分電路的同相輸入端；
所述差分電路的反相信號采樣端連接所述第二端口開關(guān)的第一端，所述第二端口開關(guān)的第二端連接所述差分電路的反相輸入端；
所述第一補償電容與所述第二采樣開關(guān)串聯(lián)在所述第一端口開關(guān)的第一端和第二端口開關(guān)的第二端之間，所述第一采樣開關(guān)并聯(lián)在所述第一補償電容兩端；
所述第二補償電容與所述第四采樣開關(guān)串聯(lián)在所述第二端口開關(guān)的第一端和第一端口開關(guān)的第二端之間，所述第三采樣開關(guān)并聯(lián)在所述第二補償電容兩端；
在采樣相，所述第一端口開關(guān)和第二端口開關(guān)閉合，同時，所述第二采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)斷開，所述第一電容陣列與所述第二電容陣列充電產(chǎn)生寄生電容；其中，所述第一端口開關(guān)、所述第二端口開關(guān)、所述第一采樣開關(guān)和所述第三采樣開關(guān)的開關(guān)動作相同；
在非采樣相，所述第一端口開關(guān)和所述第二端口開關(guān)斷開，同時，所述第一采樣開關(guān)和所述第三采樣開關(guān)斷開，所述第二采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)閉合，所述第一補償電容和所述第二補償電容充電，抵消在采樣相時所述差分電路產(chǎn)生的寄生電容。
2.如權(quán)利要求1所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，
所述第一端口開關(guān)、所述第二端口開關(guān)、所述第一采樣開關(guān)、所述第二采樣開關(guān)、所述第三采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)同步開關(guān)動作；所述第二采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)的開關(guān)動作相同，所述第一采樣開關(guān)和所述第二采樣開關(guān)動作相反。
3.如權(quán)利要求1所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，
所述第一補償電容、所述第二補償電容、所述第一采樣開關(guān)、所述第二采樣開關(guān)、所述第三采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)集成在一個電路單元；
或，所述第一補償電容、所述第一采樣開關(guān)和所述第二采樣開關(guān)集成在一個電路單元，所述第二補償電容、所述第三采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)集成在一個電路單元。
4.如權(quán)利要求1所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，
所述第一端口開關(guān)包括：單管開關(guān)、傳輸門開關(guān)和自舉開關(guān)；
所述第一采樣開關(guān)包括：單管開關(guān)、傳輸門開關(guān)和自舉開關(guān)。
5.如權(quán)利要求1所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，所述第一補償電容的大小等于所述第二電容陣列的大小的3-8％。
6.如權(quán)利要求5所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，其特征在于，所述第一補償電容的大小等于所述第二電容陣列的大小的5％。
7.一種電容陣列寄生效應(yīng)的抵消方法，其特征在于，基于如權(quán)利要求1至6任一項所述的電容陣列寄生效應(yīng)的補償電路，所述方法包括：
在采樣相，所述第一端口開關(guān)和第二端口開關(guān)閉合，同時，所述第二采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)斷開，所述第一電容陣列與所述第二電容陣列充電產(chǎn)生寄生電容；
在非采樣相，所述第一端口開關(guān)和所述第二端口開關(guān)斷開，同時，所述第一采樣開關(guān)和所述第三采樣開關(guān)斷開，所述第二采樣開關(guān)和所述第四采樣開關(guān)閉合，所述第一補償電容和所述第二補償電容充電，抵消在采樣相時所述差分電路產(chǎn)生的寄生電容。
8.如權(quán)利要求7所述的電容陣列寄生效應(yīng)的抵消方法，其特征在于，
所述第一補償電容的大小與所述第二電容陣列充電產(chǎn)生的寄生電容的大小相等。
9.如權(quán)利要求8所述的電容陣列寄生效應(yīng)的抵消方法，其特征在于，
所述第一電容陣列充電產(chǎn)生的寄生電容的大小等于所述第二電容陣列的大小的5％。
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