[發明專利]一種晶圓載片鍵合結構及利用該結構進行TSV露頭的方法有效
| 申請號： | 201711204719.7 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN107946283B | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 張俊龍;張鵬 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶圓載片鍵合 結構 利用 進行 tsv 露頭 方法 | ||
1.一種用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，包括：
硅片，設置在硅片第一面的器件及多個TSV通孔及填充銅柱，位于與所述硅片第一面相對的第二面；
載片，所述載片具有平整的第三面，以及位于與所述第三面相對的非平整第四面；
所述硅片第一面與所述載片第三面附連，其中所述多個TSV的銅柱底部到所述載片非平整第四面對應位置的距離基本相等，其中通過壓合工藝或真空吸附工藝，使載板未與含TSV硅片接觸的表面平整化，且使含TSV硅片表面產生對應的變形，內部的TSV底部基本水平。
2.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述硅片第一面中心部位的TSV銅柱長度大于所述硅片第一面邊緣部位的TSV銅柱長度。
3.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述硅片第一面邊緣部位的TSV銅柱長度大于所述硅片第一面中心部位的TSV銅柱長度。
4.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述載片非平整第四面為類凹面。
5.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述載片非平整第四面為類凸面。
6.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述載片非平整第四面為凹凸結合的曲面。
7.如權利要求1所述的用于TSV露頭的晶圓載片鍵合結構，其特征在于，所述載片為硅片、玻璃載片、有機基板、金屬基板、陶瓷基板、有機基板與金屬基板復合的基板。
8.一種形成優化的TSV露頭結構的方法，包括：
對含TSV晶圓中的TSV深度數據進行檢測測量；
依據TSV深度數據制造與該TSV深度數據匹配的晶圓載片；
將含TSV硅片的TSV裸露表面與載片的平整表面鍵合起來，各TSV銅柱底部到載片非鍵合表面的對應位置的距離基本相等；
通過壓合工藝或真空吸附工藝，使載板未與含TSV硅片接觸的表面平整化，且使含TSV硅片表面產生對應的變形；
對硅片背面進行減薄；
通過刻蝕工藝對硅片進行背面TSV露頭處理。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，對硅片背面進行減薄后，含TSV晶圓的TSV底部硅片厚度基本相等。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，通過刻蝕工藝對硅片進行背面TSV露頭處理后，TSV銅柱漏出尺寸基本相等。
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