[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201711204360.3
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN108242468B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 蘇布;陳魯夫;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;孫乳筍

1.一種半導體裝置，其特征在于，所述的半導體裝置包括：

一基板，具有一第一導電類型，所述基板包括：

一高電位區；

一低電位區，其與所述高電位區彼此隔開；以及

一電位轉換區和一隔離區，設于所述高電位區與所述低電位區之間，其中所述隔離區將所述電位轉換區與所述高電位區彼此隔開；

一磊晶層，設于所述基板上，其中所述磊晶層具有一第二導電類型，且所述第一導電類型與所述第二導電類型不同；

一第二導電類型第一埋藏層，設置于所述高電位區中，其中所述第二導電類型第一埋藏層具有所述第二導電類型；

一第二導電類型第二埋藏層，設置于所述第二導電類型第一埋藏層的正上方，其中所述第二導電類型第二埋藏層具有所述第二導電類型，

其中所述第二導電類型第一埋藏層的一頂面與所述第二導電類型第二埋藏層的一頂面分別與所述磊晶層的一頂面相距不同距離，且其中所述第二導電類型第一埋藏層的摻質濃度小于所述第二導電類型第二埋藏層的摻質濃度；

所述的第二導電類型第一埋藏層具有一第一寬度，所述第二導電類型第二埋藏層具有一第二寬度，且所述第二寬度大于第一寬度。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述的第二導電類型第一埋藏層的摻質濃度小于所述第二導電類型第二埋藏層兩者的摻質濃度一個數量級。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述的電位轉換區的所述基板內不具有所述第二導電類型第一埋藏層。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述的第二導電類型第二埋藏層的一底面直接接觸所述第二導電類型第一埋藏層的所述頂面。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述的第二導電類型第一埋藏層內具有一第一摻質，所述第二導電類型第二埋藏層內具有一第二摻質，且所述第一摻質不同于所述第二摻質。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述的第一摻質的原子量小于所述第二摻質的原子量。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述的方法包括下列步驟：

提供一基板，具有一第一導電類型，所述基板包括：

一高電位區；

一低電位區，其與所述高電位區彼此隔開；以及

一電位轉換區和一隔離區，設于所述高電位區與所述低電位區之間，其中所述隔離區將所述電位轉換區與所述高電位區彼此隔開；

進行一第一離子植入制作工藝，于所述高電位區中的所述基板內形成一第二導電類型第一埋藏層，其中所述第二導電類型第一埋藏層具有一第二導電類型，且所述第一導電類型與所述第二導電類型不同；

進行一第二離子植入制作工藝，于所述第二導電類型第一埋藏層的正上方形成一第二導電類型第二埋藏層，其中所述第二導電類型第二埋藏層具有所述第二導電類型；以及

進行一磊晶成長制作工藝，于所述基板上形成一磊晶層，其中所述磊晶層具有所述第二導電類型，其中形成所述磊晶層之后，所述第二導電類型第二埋藏層擴散延伸進入所述磊晶層中。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在進行所述第一離子植入制作工藝之后進行所述第二離子植入制作工藝。

9.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，進行所述第一離子植入制作工藝和進行所述第二離子植入制作工藝期間不會于所述電位轉換區的所述基板內形成所述第二導電類型第一埋藏層。

10.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，第一離子植入制作工藝于所述高電位區中的所述基板內植入一第一摻質以形成所述第二導電類型第一埋藏層，所述第二離子植入制作工藝于所述第二導電類型第一埋藏層的正上方的所述基板內植入一第二摻質以形成所述第二導電類型第二埋藏層，且所述第一摻質不同于所述第二摻質。