[發明專利]硅片清洗制絨工藝

有效

• 申請號: 201711204169.9
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107968130B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 陳五奎;劉強;耿榮軍
• 申請（專利權）人: 樂山新天源太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18;B08B3/04;B08B3/08
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 李玉興

1.硅片清洗制絨工藝，其特征在于：采用硅片清洗制絨裝置，所述硅片清洗制絨裝置包括硅片制絨槽(1)、硅片轉運裝置(2)以及硅片清洗裝置(3)；所述硅片轉運裝置(2)設置在硅片制絨槽(1)與硅片清洗裝置(3)之間；

所述硅片制絨槽(1)包括槽體(11)、加熱控制器(19)；所述槽體(11)的一端設置有入水槽(12)，另一端設置有出水槽(13)；

所述入水槽(12)一端通過第一勻流板(17)與槽體(11)連通，另一端的上方設置有與入水槽(12)連通的入水箱(14)；所述入水箱(14)具有入水口(141)，所述入水槽(12)內由入水槽(12)的一端向另一端依次設置有橫向加熱電阻(20)、豎向加熱電阻(15)以及攪拌裝置(16)；所述橫向加熱電阻(20)位于入水箱(14)的下方；且在豎直方向上均勻分布；所述豎向加熱電阻(15)沿水平方向上均勻分布；所述攪拌裝置(16)位于第一勻流板(17)的一側；

所述出水槽(13)的一端通過第二勻流板(18)與槽體(11)連通，另一端設置有出水口(131)；所述槽體(11)的底部設置有保溫加熱電阻(110)，所述槽體(11)內設置有溫度傳感器，所述溫度傳感器、橫向加熱電阻(20)、豎向加熱電阻(15)以及保溫加熱電阻(110)均與加熱控制器(19)電連接；

所述硅片轉運裝置(2)包括安裝座(211)，所述安裝座(211)上設置有轉盤，所述轉盤上安裝有豎向滑柱(21)，所述豎向滑柱(21)上設置有滑臺(22)，所述滑臺(22)上設置有第一伸縮裝置(23)，所述第一伸縮裝置(23)一端與滑臺(22)固定連接，另一端設置有支撐臂(25)，所述支撐臂(25)一端與伸縮裝置(23)通過轉動關節(24)連接；所述支撐臂(25)的另一端的下方設置有第二轉盤(26)，所述第二轉盤(26)上設置有第二伸縮裝置(27)，所述第二伸縮裝置(27)的下端設置有夾爪(28)；

所述夾爪(28)包括固定板、固定夾爪(281)和動夾爪(282)，所述固定夾爪(281)固定安裝在固定板上，所述動夾爪(282)沿固定板的長度方向滑動安裝在固定板上；所述固定板上設置有驅動動夾爪(282)沿固定板的長度方向滑動的滑動驅動裝置；所述固定夾爪(281)和動夾爪(282)之間形成抓夾區間，所述固定板下表面設置有噴頭(29)，所述支撐臂(25)上設置有增壓泵(210)；所述噴頭(29)與增壓泵(210)連通，所述噴頭(29)位于抓夾區間內；

還包括以下步驟：

1)首先硅片在經過硅片清洗裝置(3)進行清洗，在硅片清洗裝置(3)的水槽內，配置清洗液清洗液包括HCl、H202、DI水，其中HCl：H202：DI水為1:1:6～1:2:8；

2)水槽內保證清洗液溫度為70℃到85℃，然后將硅片浸泡25至30min；

3)通過硅片轉運裝置(2)將硅片轉運至硅片制絨槽(1)內；轉運過程中通過轉運裝置(2)上的噴頭(29)一直向裝載硅片的花籃噴灑霧狀DI水；

4)在硅片制絨槽中，首先配置制絨溶液，所述制絨溶液為濃度為1％-2％的氫氧化鈉溶液，并且向制絨溶液內添加異丙醇；其中質量百分比氫氧化鈉：異丙醇為1:50至1:80；

然后將制絨溶液由入水箱(14)送入，制絨溶液依次經過橫向加熱電阻(20)、豎向加熱電阻(15)、攪拌裝置(16)處理后，使得制絨溶液溫度為80℃±5℃，然后制絨溶液通過第一勻流板(17)進入槽體(11)內；

5)在槽體(11)內通過溫度傳感器對槽體(11)內的制絨溶液的溫度進行實時監控，然后通過加熱控制器(19)控制保溫加熱電阻(110)對槽體進行加熱，保證槽體(11)內的制絨溶液溫度波動范圍在±0.3℃之內；

6)硅片在制絨溶液中浸泡15至20min。

2.如權利要求1所述的硅片清洗制絨工藝，其特征在于：在步驟2)中水槽內保證清洗液溫度為75℃到80℃。

3.如權利要求1所述的硅片清洗制絨工藝，其特征在于：在步驟4)中氫氧化鈉與異丙醇的質量百分比為1:60至1:70。