[發(fā)明專利]一種采用壓電單晶箔的固貼型薄膜體聲波諧振器及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711203835.7 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN107800396A | 公開（公告）日： | 2018-03-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳培杕;劉敬勇;黃潤華;於保偉;程勝軍 | 申請（專利權）人： | 中電科技德清華瑩電子有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 杭州豐禾專利事務所有限公司33214 | 代理人： | 王曉峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 壓電 單晶箔 固貼型 薄膜 聲波 諧振器 制備 方法 | ||
1.一種固貼型薄膜體聲波諧振器，由具有布拉格聲波反射結構層的襯底，上下金屬電極夾持壓電體形成的三明治有源結構組成，其特征是：所述壓電體是壓電單晶箔。
2.根據(jù)權利要求1所述的固貼型薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述壓電單晶箔是指由人工拉制的壓電單晶棒直接制作的。
3.根據(jù)權利要求1所述的固貼型薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述壓電單晶選自石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰、四硼酸鋰、鍺酸鉍、硅酸鉍、硅酸鎵鑭系列、正磷酸鋁或鈮酸鉀實用壓電單晶體。
4.根據(jù)權利要求1所述的固貼型薄膜體聲波諧振器，所述襯底選自硅、石英、碳化硅、三氧化二鋁、藍寶石或金剛石。
5.根據(jù)權利要求1所述的固貼型薄膜聲波諧振器，其特征在于：所述壓電單晶體為壓電單晶圓片。
6.根據(jù)權利要求1-5任意一項所述的固貼型薄膜聲波諧振器的制備方法，其特征在于：該制備方法包括以下步驟：流程1：對襯底清洗，淀積布拉格聲波反射結構層；
流程2：對壓電單晶體清洗后，正面淀積金屬膜、光刻腐蝕制作下電極；
流程3：在壓電單晶體正面淀積鈍化層；
流程4：將壓電單晶體與襯底正面對正面鍵合，形成復合基片；
流程5：機械減薄壓電晶體側獲得壓電單晶箔；
流程6：套刻腐蝕形成有源區(qū)臺面，套刻淀積剝離工藝制作下電極和引出電極；
流程7：套刻淀積剝離工藝制作上電極及其引出電極。
7.根據(jù)權利要求1-5任意一項所述的固貼型薄膜聲波諧振器的制備方法，其特征在于：該制備方法包括以下步驟：
流程1：對襯底清洗，淀積布拉格聲波反射結構層；
流程2：對壓電單晶體清洗后，壓電單晶體正面進行離子注入工藝，形成內埋變性層；正面淀積金屬膜、光刻腐蝕制作下電極；
流程3：在壓電單晶體正面淀積鈍化層；
流程4：將壓電單晶體與襯底正面對正面鍵合，形成復合基片；
流程5：采用離子切片方法，使復合基片在內埋變性層處斷裂，獲得壓電單晶箔結構；
流程6：套刻腐蝕形成有源區(qū)臺面，套刻淀積剝離工藝制作下電極和引出電極；
流程7：套刻淀積剝離工藝制作上電極及其引出電極。
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