[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711203694.9
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN108336141B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 大須賀祐喜;原田博文
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;徐丹

1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置具備：

襯底；

第一導電型的漏極區(qū)，其被設置于所述襯底，從所述襯底的背面起具有規(guī)定的厚度；

溝槽，其從所述襯底的正面到達所述漏極區(qū)的上表面；

第二導電型的基極層，其與所述溝槽相鄰地被設置在所述漏極區(qū)上；

柵絕緣膜，其覆蓋所述溝槽的內(nèi)側的底面及側面，并且該柵絕緣膜的上端部位于距所述溝槽的底面為第一高度的位置處；

柵電極，其隔著所述柵絕緣膜被埋入所述溝槽內(nèi)，且被埋至所述第一高度；

第一絕緣膜，其在所述溝槽內(nèi)的所述柵絕緣膜及所述柵電極上被埋至高于所述第一高度的第二高度；

源電極，其被埋入所述溝槽內(nèi)的所述第一絕緣膜上方的剩余部分；

第二導電型的基極接觸區(qū)，其具有從所述襯底的正面至第三高度的深度，所述第三高度高于所述第二高度且低于所述溝槽的上部，該基極接觸區(qū)以一個側面與所述源電極相接觸的方式設置，且濃度比所述基極層高；

第二導電型的源極區(qū)，其被設置為，上表面與所述基極接觸區(qū)的底面的一部分相接觸，該源極區(qū)的一個側面與所述溝槽的外側面相接觸，并且該一個側面的至少一部分與所述源電極相接觸，從該源極區(qū)的底面至所述漏極區(qū)為止的沿著所述溝槽的外側面的所述基極層成為溝道區(qū)域；以及

漏電極，其以與所述漏極區(qū)相接觸的方式被設置在所述襯底的背面上，

所述基極接觸區(qū)的另一個側面與所述基極層相接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具備第二絕緣膜，該第二絕緣膜設置在所述基極接觸區(qū)上并具有與所述溝槽的上部連接的開口，所述源電極也被埋入所述開口內(nèi)。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝槽在規(guī)定的方向上延伸。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝槽包圍所述基極層的周圍。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

從第一導電型的襯底正面起以比襯底的厚度淺的深度形成第二導電型的基極層，并使所述襯底的剩余區(qū)域殘留以作為第一導電型的漏極區(qū)；

以從所述襯底正面到達所述漏極區(qū)的方式形成溝槽；

在所述溝槽的內(nèi)側的底面及側面形成柵絕緣膜；

隔著所述柵絕緣膜向所述溝槽內(nèi)埋入柵電極；

對所述柵電極進行蝕刻，直至所述柵電極的上表面的位置距所述溝槽的底面為第一高度為止；

從所述溝槽的內(nèi)側注入雜質(zhì)從而形成源極區(qū)，該源極區(qū)與溝槽的外側面的一部分相接觸并具備從所述襯底正面至少到所述第一高度的深度；

對所述柵絕緣膜的上部進行蝕刻，直至所述柵絕緣膜的上端部成為所述第一高度為止；

在所述溝槽內(nèi)的所述柵絕緣膜及所述柵電極上將第一絕緣膜形成至高于所述第一高度的第二高度；

形成第二導電型的基極接觸區(qū)，所述基極接觸區(qū)具有從所述襯底的正面至第三高度的深度，所述第三高度高于所述第二高度且低于所述溝槽的上部，該基極接觸區(qū)的一個側面與所述溝槽的所述外側面的另一部分相接觸，該基極接觸區(qū)的另一個側面與所述基極層相接觸，該基極接觸區(qū)與所述基極層及所述源極區(qū)的上部相接觸，且比所述基極層濃度高；以及

向所述溝槽內(nèi)的所述第一絕緣膜上方的剩余部分埋入源電極，所述源電極與所述源極區(qū)及所述基極接觸區(qū)相接觸。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過將雜質(zhì)向所述溝槽內(nèi)側面傾斜地進行離子注入來進行形成所述源極區(qū)的工序。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

形成所述第一絕緣膜的工序與形成基極接觸區(qū)的工序包括：將所述第一絕緣膜形成至所述第三高度的步驟；以所述第一絕緣膜為掩模而進行離子注入從而形成所述基極接觸區(qū)的步驟；和此后將所述第一絕緣膜蝕刻至所述第二高度的步驟。

8.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

形成所述溝槽的工序包括在所述襯底正面上形成第二絕緣膜的步驟，該第二絕緣膜在形成有所述溝槽的部分處具有開口，

形成所述基極接觸區(qū)的工序包括如下步驟：以所述第二絕緣膜為掩模而將雜質(zhì)向溝槽內(nèi)側面傾斜地進行離子注入。