[發(fā)明專利]一種具有較高速率的電路基板線圈線路蝕刻工藝

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• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107949164A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 吳子明
• 申請（專利權）人: 深圳光韻達激光應用技術有限公司;吳子明
• 主分類號: H05K1/16
• 分類號: H05K1/16;H05K3/06
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所44298
• 代理人: 王少強

[技術領域]

本發(fā)明涉及電路基板線圈線路蝕刻工藝技術領域，尤其涉及一種可以有效節(jié)約工序、提高線路成形的密度與精度，實現(xiàn)超細線路制作的效果的具有較高速率的電路基板線圈線路蝕刻工藝。

[背景技術]

目前PCB/FPC/陶瓷電路板，以及其它基材的電路板，采用傳統(tǒng)的PCB/FPC生產(chǎn)流程中的“黃光”制層，“曝光”“顯影”“蝕刻”的制層方式無法獲得比較細的線路，并且當導體金屬層中的“線距(Line Space)”比導體線體“線寬(Linewidth)”與導體的厚度還要小的情況下，出現(xiàn)傳統(tǒng)的蝕刻(Ecthing)無法有效的蝕刻干凈，或者蝕刻過量，過大，導致不能獲得客戶滿意的線路。

基于上述問題，怎樣才能通過制作工藝流程以及其他相關技術的改進，達到節(jié)約工序，提高線路成形的密度與精度，實現(xiàn)超細線路制作的效果，本領域的技術人員進行了大量的研發(fā)和實驗，并取得了較好的成績。

[發(fā)明內容]

為克服現(xiàn)有技術所存在的問題，本發(fā)明提供一種可以有效節(jié)約工序、提高線路成形的密度與精度，實現(xiàn)超細線路制作的效果的具有較高速率的電路基板線圈線路蝕刻工藝。

本發(fā)明解決技術問題的方案是提供一種具有較高速率的電路基板線圈線路蝕刻工藝，包括以下步驟，

S1：預備用于進行加工處理的純銅箔，并對銅箔加工面進行清潔處理；

S2:采用激光蝕刻在步驟S1準備好的銅箔表面刻蝕槽體，槽體可以為盲槽或者是100％貫穿的通槽通孔；

S3:蝕刻溝道；在步驟S2完成槽體加工處理后，即在銅箔加工面刻出溝道，溝道的寬度范圍為10um-100um，溝道的深度范圍為被刻銅箔厚度的10％--100％；

S4：對步驟S3加工處理完成后的銅箔進行前處理；前處理過程包括微蝕修整、水處理以及烘干三步處理流程；

S5：在銅箔表面壓合基材；首先在銅箔表面粘貼膠體，再在膠體正面壓合線路板基材；

S6：進行蝕刻線圈線路加工處理；處理過程包括以下步驟，

A1：對銅箔進行鍍層保護；采用電鍍錫或化學鍍錫工藝在銅箔表層形成銅箔Coating涂層；在銅箔上形成0.001微米-500微米厚度范圍的蝕刻保護層；

A2：激光刻蝕線路；采用激光(激光蝕刻的激光為皮秒，納秒，飛秒或準分子激光器，且激光光源為綠光，UV紫光或者CO₂激光光源)在步驟A1中已經(jīng)受Coating層保護的銅箔表面刻出線圈與線圈之間的距離(線距)，且刻蝕的寬度在5微米-100微米之間，刻蝕的深度為Coat ing+導體銅箔厚度的1％-110％之間；

A3：線路刻蝕完成后，對刻蝕溝道進行清理清潔；采用正常PCB工廠的等離子氣體與超聲波液體進行溝道內的激光殘渣清潔，便于后續(xù)的線路成形；

A4：進行最后的清洗、烘干處理；

S7：步驟S6蝕刻處理完畢后，去掉剩余干膜；

S8：進行最后的清洗、烘干處理，得到電路基板線圈線路模組成品。

優(yōu)選地，所述步驟S2中對銅箔進行激光蝕刻的激光為皮秒，納秒，飛秒或準分子激光器，且激光光源為綠光，UV紫光或者CO₂激光光源。

優(yōu)選地，所述步驟S2中對銅箔進行激光蝕刻的部分包含銅箔上任何印刷、粘貼的高分子、有機物、無機物金屬物質涂層與膜類保護層。

優(yōu)選地，所述步驟S5中銅箔表面粘貼的膠體為聚酯類膠粘劑、丙烯酸類膠粘劑、環(huán)氧或改性環(huán)氧類膠粘劑、聚酰亞胺類膠粘劑、酚醛－縮丁醛類膠粘劑，且壓合的線路板基材為PI(聚酰亞胺薄膜(PolyimideFi lm)、LCP、FR4、LCP液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer)、氮化鋁與氧化鋁陶瓷或PTEF特富龍線路板基材。

優(yōu)選地，所述步驟S1中采用的金屬導體箔為撓性覆銅板用的導體材料，可以是銅箔(普通電解銅箔、高延展性電解銅箔、壓延銅箔)、鋁箔或銅－鈹合金箔。

優(yōu)選地，所述步驟S5中完成壓合線路板基材的處理之后，在壓合線路板基材的反面，形成制作雙面板時的銅箔導體層。

優(yōu)選地，所述銅箔的厚度大于40微米，且線圈與線圈之間的線距小于40微米。

優(yōu)選地，所述步驟S1中采用的金屬導體箔為銅箔，包括電解銅箔(ED)和壓延銅箔(RA)。