[發(fā)明專利]一種減小射頻四極桿傳輸質(zhì)量歧視的裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711203282.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109841489A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳平;王禎鑫;趙琨;鞠幫玉;李海洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01J49/06 | 分類號(hào): | H01J49/06;H01J49/42 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 馬馳 |
| 地址: | 116023 *** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 減小 質(zhì)量歧視 傳輸 射頻四極桿 射頻電源 質(zhì)量歧視效應(yīng) 四極桿電極 傳輸原理 傳輸軸線 射頻電場(chǎng) 交替的 四極桿 質(zhì)荷比 電極 兩段 分段 離子 施加 | ||
1.一種減小射頻四極桿傳輸質(zhì)量歧視的裝置,其特征在于:包括由引入孔電極(1),引出孔電極(2),分段電極(3);引入孔電極(1)和引出孔電極(2)均為中部開(kāi)設(shè)有通孔的平板狀電極,引入孔電極(1)和引出孔電極(2)平行且中心通孔同軸設(shè)置;在引入孔電極(1)和引出孔電極(2)之間設(shè)置有分段電極(3);分段電極(3)由四組電極陣列構(gòu)成;每組電極陣列均由四個(gè)或五個(gè)以上同軸相等間隔設(shè)置的、相同形狀尺寸的圓柱或者圓環(huán)電極組成一電極桿;四個(gè)電極桿的首尾二個(gè)端面分別處于相互平行的二個(gè)平面上,且四個(gè)電極桿的軸線于每個(gè)平面上的交點(diǎn)均布同一個(gè)圓的圓周上;且該圓的圓心位于引入孔電極(1)和引出孔電極(2)中心通孔的軸線上;
在引入孔電極(1)和引出孔電極(2)上分別施加DC1和DC2的直流電壓;
在分段電極(3)的四組電極陣列中的任何一組上的同心圓柱或者圓環(huán)電極的首尾二端施加直流電壓,且任何一組上相鄰的同心圓柱或者圓環(huán)電極之間都由分壓電阻均勻分壓串聯(lián);且從首端起,按從1-n的序號(hào)順序的圓柱或圓環(huán)電極上各自通過(guò)電容耦合施加n個(gè)不同的射頻電壓,再次重新計(jì)算序號(hào)且按從1-n的序號(hào)順序重復(fù)上述射頻電壓的施加過(guò)程直至尾端;n為大于等于2的整數(shù),且在分段電極(3)的四組電極陣列中的任何一組上的同心圓柱或者圓環(huán)電極個(gè)數(shù)為n的2個(gè)以上的整數(shù)倍;
四組電極陣列中一對(duì)間隔相對(duì)設(shè)置的電極陣列連接射頻電壓的正相輸出,另一組壓相對(duì)設(shè)置電極陣列施加連接射頻電壓的反相輸出;
一定能量的離子束穿過(guò)引入孔電極(1)進(jìn)入分段電極(3)的區(qū)域,離子在交替的射頻電場(chǎng)作用下通過(guò),最終從引出孔電極(2)的中心小孔引出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述減小射頻四極桿傳輸質(zhì)量歧視的裝置,其特征在于:
在引入孔電極(1)和引出孔電極(2)上分別施加DC1和DC2的直流電壓;
在分段電極(3)的四組電極陣列中的任何一組上的同心圓柱或者圓環(huán)電極的首尾二端施加直流電壓,且任何一組上相鄰的同心圓柱或者圓環(huán)電極之間都由分壓電阻均勻分壓串聯(lián);且從首端至尾端奇數(shù)序號(hào)的圓柱或圓環(huán)電極上各自通過(guò)電容耦合施加射頻電壓RF2,其對(duì)應(yīng)的頻率為W2,幅值為V2;偶數(shù)序號(hào)的圓柱或者圓環(huán)電各自通過(guò)電容耦合極施加射頻電壓RF1,其對(duì)應(yīng)的頻率為W1,幅值為V1;
四組電極陣列中一對(duì)間隔相對(duì)設(shè)置的電極陣列連接射頻電壓RF1或者RF2的正相輸出,另一組壓相對(duì)設(shè)置電極陣列施加連接射頻電壓RF1或者RF2的反相輸出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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