[發明專利]一種基于硅PIN的中子探測器在審
| 申請號： | 201711203252.4 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN107884811A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 張慶威;王婷婷;林德雨;陳潔;趙哲 | 申請（專利權）人： | 中核控制系統工程有限公司 |
| 主分類號： | G01T3/08 | 分類號： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 核工業專利中心11007 | 代理人： | 張雅丁 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 pin 中子 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：包括鋁片(1)、硼層(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；
在所述鋁片(1)的表面鍍硼層(2)，將鋁片(1)鍍有硼層(2)的一側與硅PIN(3)耦合；
所述硼層(2)與硅PIN(3)的距離為H，H≤1mm；
所述硼層(2)的材料為純度在99％以上的硼單質，其中10B豐度大于92％；
在所述陶瓷底托(4)的上表面開槽，硅PIN(3)設于槽中，組成陶瓷封裝的硅光電二極管。
2.如權利要求1所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：鋁片(1)的厚度選擇范圍為1～3mm。
3.如權利要求2所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：硼層(2)的厚度選擇范圍為0.85～1mg/cm2。
4.如權利要求3所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：所述的硅PIN(3)的厚度為D，D≥20μm。
5.如權利要求4所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：所述陶瓷封裝的硅光電二極管采用市售的濱松集團硅光電二極管產品。
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