[發(fā)明專利]一種基于硅PIN的中子探測器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711203252.4 | 申請日： | 2017-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN107884811A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張慶威;王婷婷;林德雨;陳潔;趙哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 中核控制系統(tǒng)工程有限公司 |
| 主分類號： | G01T3/08 | 分類號： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 核工業(yè)專利中心11007 | 代理人： | 張雅丁 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 pin 中子 探測器 | ||
1.一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：包括鋁片(1)、硼層(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；
在所述鋁片(1)的表面鍍硼層(2)，將鋁片(1)鍍有硼層(2)的一側(cè)與硅PIN(3)耦合；
所述硼層(2)與硅PIN(3)的距離為H，H≤1mm；
所述硼層(2)的材料為純度在99％以上的硼單質(zhì)，其中10B豐度大于92％；
在所述陶瓷底托(4)的上表面開槽，硅PIN(3)設(shè)于槽中，組成陶瓷封裝的硅光電二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：鋁片(1)的厚度選擇范圍為1～3mm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：硼層(2)的厚度選擇范圍為0.85～1mg/cm2。
4.如權(quán)利要求3所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：所述的硅PIN(3)的厚度為D，D≥20μm。
5.如權(quán)利要求4所述的一種基于硅PIN的中子探測器，其特征在于：所述陶瓷封裝的硅光電二極管采用市售的濱松集團硅光電二極管產(chǎn)品。
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