[發明專利]用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光設備

在審

• 申請號: 201711202775.7
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN108121153A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 申鉉振;宋伣在;樸晟準;申建旭;李昌錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.用于保護光掩模的表膜，所述表膜包括：包括具有缺陷的納米晶體石墨烯的表膜膜片。

2.如權利要求1所述的表膜，其中

所述納米晶體石墨烯包括多個納米級晶粒，和所述多個納米級晶粒包括具有芳族環結構的二維(2D)碳結構。

3.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯的缺陷包括如下的至少一種：sp³碳(C)原子、氧(O)原子、氮(N)原子、或者碳空位。

4.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯的拉曼光譜中的D/G強度比為0.5或更大。

5.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯的拉曼光譜中的2D/G強度比為0.05或更大。

6.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯中的氧(O)的量在1原子％-20原子％的范圍內。

7.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯中的氫(H)的量在1原子％-20原子％的范圍內。

8.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯中的氮(N)的量在1原子％-20原子％的范圍內。

9.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯在C軸方向上具有不規則的晶格結構。

10.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯具有小于2.2g/cm³的密度。

11.如權利要求1所述的表膜，其中通過X-射線衍射分析獲得的所述納米晶體石墨烯的層間間距d間距大于

12.如權利要求1所述的表膜，其中所述納米晶體石墨烯具有小于10nm的表面粗糙度。

13.如權利要求1所述的表膜，其中所述表膜膜片具有100nm或更小的厚度。

14.如權利要求1所述的表膜，其中所述表膜膜片對于極紫外(EUV)光具有80％或更大的透射率。

15.如權利要求1所述的表膜，其中所述表膜膜片進一步包括在所述納米晶體石墨烯的至少一個表面上的保護層。

16.如權利要求15所述的表膜，其中所述保護層包括如下的至少一種：基于碳的材料、基于金屬硫屬化物的材料、硅或其衍生物、或者金屬氧化物。

17.如權利要求16所述的表膜，其中所述基于碳的材料包括如下的至少一種：無定形碳、石墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、碳化硅(SiC)、或者碳化硼(B₄C)。

18.如權利要求16所述的表膜，其中所述基于金屬硫屬化物的材料包括過渡金屬二硫屬化物(TMD)。

19.如權利要求16所述的表膜，其中

所述基于金屬硫屬化物的材料包括金屬和硫屬元素，

所述金屬為如下之一：Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc、Re、Cu、Ga、In、Sn、Ge、或Pb，和

所述硫屬元素包括如下之一：S、Se、或Te。

20.如權利要求1-19任一項所述的表膜，所述表膜進一步包括表膜結構體，其中所述表膜膜片連接至所述表膜結構體。