[發(fā)明專利]一種晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置及養(yǎng)護(hù)工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711202581.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN107993921A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫強(qiáng);柏友榮;沈思情;宋洪偉;陳猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海超硅半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶圓片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置及養(yǎng)護(hù)工藝。

背景技術(shù)

化學(xué)機(jī)械拋光工藝(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對(duì)加工過程中的晶圓片或其它襯底材料進(jìn)行平滑處理。包括化學(xué)過程和物理過程，其中，化學(xué)過程是研磨液中的化學(xué)品和晶圓片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除的物質(zhì)；物理過程是研磨液中的磨粒和晶圓片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，去除化學(xué)反應(yīng)生成的物質(zhì)。經(jīng)CMP工藝處理后必然會(huì)造成晶圓片的表面缺陷，一般包括擦傷、殘留物和表面污染，所以，在CMP工藝后必須對(duì)晶圓片進(jìn)行有效的清洗來實(shí)現(xiàn)CMP的工藝優(yōu)點(diǎn)，而清洗工藝能夠有效清洗晶圓片表面缺陷的前提是CMP工藝處理后的晶圓片表面必需始終保持濕潤不干狀態(tài)，否則會(huì)清洗不干凈，導(dǎo)致產(chǎn)品不合格。

因此，亟需一種在晶圓片拋光后能夠在晶圓片表面形成一層水性保護(hù)膜的養(yǎng)護(hù)裝置及養(yǎng)護(hù)工藝，確保晶圓片在清洗時(shí)能清洗干凈。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置及養(yǎng)護(hù)工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的晶圓片拋光后清洗不干凈的技術(shù)問題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置，包括噴淋臺(tái)、噴淋槽和噴頭，其中，所述噴淋臺(tái)上開設(shè)有多個(gè)所述噴淋槽，所述噴淋槽用于放置拋盤，所述拋盤的直徑為D；多組所述噴頭一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于多個(gè)所述噴淋槽的正上方，所述噴頭出水時(shí)的圓心角為α；所述噴頭的高度L₁大于等于0.5D*cot0.5α，每組噴頭中相鄰噴頭之間的間距L₂小于等于0.25D。

作為優(yōu)選，每組所述噴頭的中心點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的所述噴淋槽的中心線共線。

作為優(yōu)選，每組所述噴頭包括至少兩個(gè)噴頭。

作為優(yōu)選，所述噴淋槽上方設(shè)置有噴淋管路，多組所述噴頭均勻間隔設(shè)置于所述噴淋管路上，所述噴淋管路上還設(shè)置有控制所述噴頭開閉的控制閥。

作為優(yōu)選，所述噴淋槽的長度L₃和寬度L₄均等于1.5D。

一種如以上任一項(xiàng)所述的晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置的養(yǎng)護(hù)工藝，將吸附有多個(gè)拋光后的晶圓片的拋盤放置到噴淋槽中，并使所述拋盤的軸線正對(duì)所述噴淋槽的中心線；打開噴頭對(duì)所述拋光盤中的所述晶圓片進(jìn)行噴淋，所述噴頭中噴出的液體在所述晶圓片的表面形成一層水性保護(hù)膜。

作為優(yōu)選，所述噴頭中噴出的液體為DI-W(超純水)稀釋后的保濕劑。

作為優(yōu)選，所述噴頭中噴出的液體為DI-W(超純水)稀釋20倍以上后的保濕劑。

作為優(yōu)選，多個(gè)所述晶圓片沿所述拋盤的軸線呈圓周分布。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供的晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置及養(yǎng)護(hù)工藝，相比于現(xiàn)有技術(shù)具有以下有益效果：

1)噴頭的安裝高度L₁以及每組噴頭中相鄰噴頭的間距L₂由拋盤的直徑D和噴頭出水時(shí)的圓心角α決定，L₁大于等于0.5D*cot0.5α，L₂小于等于0.25D，按照此公式設(shè)計(jì)，能夠保證噴頭噴出的保濕劑可以全部有效覆蓋拋盤以保證噴淋效果；

2)噴淋槽的尺寸也根據(jù)拋盤的直徑D設(shè)計(jì)，噴淋槽的長度L₃和寬度L₄均等于1.5D，噴淋槽的長度和寬度按照此公式設(shè)計(jì)，既能保證拋盤的有效放置，又不會(huì)有多余的面積浪費(fèi)，有效節(jié)約了制造成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的晶圓片拋光后的養(yǎng)護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1-噴淋臺(tái)；2-噴淋槽；3-拋盤；4-噴頭；5-噴淋管路；6-支撐桿；7-控制閥。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部。