[發明專利]一種柔性陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201711201264.3
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN107946247B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 胡俊艷
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種柔性陣列基板，其特征在于，包括：

玻璃基板；

柔性襯底基板，形成于所述玻璃基板的表面；

緩沖層，形成于所述柔性襯底基板的表面；

有源層，形成于所述緩沖層的表面；

柵絕緣層，形成于所述有源層的表面，所述柵絕緣層將所述有源層與所述緩沖層覆蓋；

第一金屬層，形成于所述柵絕緣層表面，所述第一金屬層經圖案化處理，形成薄膜晶體管的柵極與柵線；

間絕緣層，形成于所述第一金屬層表面，所述間絕緣層將所述第一金屬層與所述柵絕緣層覆蓋；以及

柔性有機層，形成于所述間絕緣層表面；

第二金屬層，形成于所述間絕緣層表面，所述第二金屬層經圖案化處理，形成源電極和漏電極，所述源電極包括第二過孔，所述漏電極包括第三過孔；

鈍化層，形成于所述第二金屬層表面；

所述柔性陣列基板還包括至少兩個第一過孔，所述第一過孔中所填充的材料與所述柔性有機層的材料相同；

所述第一過孔為連續的孔洞，所述第一過孔形成于相鄰的薄膜晶體管之間，所述第一過孔圍繞所述薄膜晶體管設置，并將各薄膜晶體管隔開；

其中，所述源電極和所述漏電極與所述柔性有機層位于同一膜層結構上。

2.根據權利要求1所述的柔性陣列基板，其特征在于，所述柔性有機層是通過對沉積于所述間絕緣層表面上的柔性有機材料進行圖案化處理，并保留經過圖案化處理的所述柔性有機材料的至少一部分來形成的；

所述源電極和所述漏電極是通過對沉積于所述間絕緣層表面上的第二金屬層進行圖案化處理，并保留經過圖案化處理的所述第二金屬層的至少一部分來形成的。

3.根據權利要求1所述的柔性陣列基板，其特征在于，所述源電極、所述漏電極分別通過所述第二過孔、所述第三過孔與所述有源層相連通。

4.一種柔性陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S20、在柵絕緣層上沉積第一金屬層，使用第一光罩對所述第一金屬層實施第一光罩制程，以在所述柵絕緣層表面形成薄膜晶體管的柵極與柵線；

步驟S30、在所述第一金屬層上沉積間絕緣層，并在所述間絕緣層上形成至少兩個第一過孔；

步驟S40、在所述間絕緣層上沉積所述柔性有機層，其中，所述第一過孔中所填充的材料與所述柔性有機層的材料相同；

步驟S50、在所述間絕緣層上沉積第二金屬層，使用第二光罩對所述第二金屬層實施第二光罩制程，以在所述間絕緣層表面形成源電極、漏電極；

步驟S60、在所述第二金屬層上沉積鈍化層；

所述第一過孔為連續的孔洞，所述第一過孔形成于相鄰的薄膜晶體管之間，所述第一過孔圍繞所述薄膜晶體管設置，并將各薄膜晶體管隔開；

其中，所述源電極和所述漏電極與所述柔性有機層位于同一膜層結構上。

5.根據權利要求4所述的柔性陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

步驟S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次沉積柔性襯底基板、緩沖層、有源層以及所述柵絕緣層。

6.根據權利要求4所述的柔性陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40包括：

步驟S41、在所述間絕緣層上沉積所述柔性有機材料；

步驟S42、對所述柔性有機材料進行圖案化處理，并保留經過圖案化處理的所述柔性有機材料中靠近所述第一過孔的部分，以形成所述柔性有機層。

7.根據權利要求4所述的柔性陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S50包括：

步驟S51、在所述間絕緣層上沉積第二金屬層；

步驟S52，在所述第二金屬層上涂布光刻膠；

步驟S53，在所述光刻膠經曝光、顯影后，對所述第二金屬層進行蝕刻，以去除未被光刻膠遮擋的第二金屬層，形成至少兩個源電極、漏電極以及與所述源電極對應的第二過孔、與所述漏電極對應的第三過孔；

步驟S54，剝離光刻膠。