[發(fā)明專利]TFT陣列基板及TFT陣列基板的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711201198.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108010918B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板包括：

基板；

遮光層，設(shè)置于所述基板的表面；

絕緣層，覆蓋于所述基板和所述遮光層的表面；

多晶硅層，設(shè)置于所述絕緣層的上方；

柵極絕緣層，覆蓋于所述多晶硅層和所述基板的表面；

柵極金屬，設(shè)置于所述柵極絕緣層的表面，包括并列設(shè)置的第一柵極金屬和第二柵極金屬，所述第一柵極金屬為長(zhǎng)條狀金屬，所述第一柵極金屬和第二柵極金屬交替分布；

隔離層，設(shè)置于所述柵極絕緣層和所述柵極金屬的上方；

金屬數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述隔離層表面，所述金屬數(shù)據(jù)線分別與第一過(guò)孔和第二過(guò)孔相連，所述金屬數(shù)據(jù)線通過(guò)第一過(guò)孔與所述第一柵極金屬相連，所述金屬數(shù)據(jù)線通過(guò)第二過(guò)孔與所述多晶硅層相連；

其中，所述第一過(guò)孔包括首端第一過(guò)孔和尾端第一過(guò)孔，所述首端第一過(guò)孔和所述尾端第一過(guò)孔位于所述第一柵極金屬兩端的上表面，并與所述金屬數(shù)據(jù)線相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一過(guò)孔貫穿所述隔離層將所述金屬數(shù)據(jù)線和所述第一柵極金屬相連，所述第二過(guò)孔依次貫穿所述隔離層和所述柵極絕緣層將所述金屬數(shù)據(jù)線和多晶硅層相連。

3.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT陣列基板的制作方法包括：

步驟S10、提供一基板，在所述基板上方依次設(shè)置遮光層和絕緣層；

步驟S20、在所述絕緣層表面制備多晶硅層；

步驟S30、在所述多晶硅層表面制備柵極絕緣層；

步驟S40、在所述柵極絕緣層表面制備柵極金屬，

所述柵極金屬包括并列設(shè)置的第一柵極金屬和第二柵極金屬，所述第一柵極金屬為長(zhǎng)條狀金屬，所述第一柵極金屬和第二柵極金屬交替分布；

步驟S50、在所述柵極金屬表面形成隔離層；

步驟S60、制備第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿所述隔離層與所述第一柵極金屬相連，所述第二過(guò)孔貫穿所述隔離層和所述柵極絕緣層并與所述多晶硅層相連；

步驟S70、在所述隔離層表面形成金屬數(shù)據(jù)線，

所述金屬數(shù)據(jù)線通過(guò)第一過(guò)孔與所述第一柵極金屬相連，所述金屬數(shù)據(jù)線通過(guò)第二過(guò)孔與所述多晶硅層相連；

其中，所述第一過(guò)孔包括首端第一過(guò)孔和尾端第一過(guò)孔，所述首端第一過(guò)孔和所述尾端第一過(guò)孔位于所述第一柵極金屬兩端的上表面，并與所述金屬數(shù)據(jù)線相連。