[發(fā)明專利]一種氧化鋁陶瓷及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711200462.8 | 申請日: | 2017-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN109836135A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 柴有權(quán);楊支朋;席新杰 | 申請(專利權(quán))人: | 山西朔神新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/10 | 分類號: | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/81 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 036002 山西*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鋁陶瓷 導(dǎo)熱材料 氧化鋁陶瓷材料 制備 陶瓷散熱基板 導(dǎo)熱添加劑 高導(dǎo)熱系數(shù) 絕緣性能 二維 高抗 保證 | ||
1.一種氧化鋁陶瓷,其原料包括氧化鋁85-90質(zhì)量%、氧化鋯2-5質(zhì)量%、氧化鎂1-3質(zhì)量%、氧化鈣1-3質(zhì)量%、導(dǎo)熱添加劑4-6質(zhì)量%,其特征在于所述導(dǎo)熱添加劑由以下組分構(gòu)成:一維導(dǎo)熱材料 以及二維導(dǎo)熱材料和/或零維導(dǎo)熱材料;
所述導(dǎo)熱添加劑中所述一維導(dǎo)熱材料與所述二維導(dǎo)熱材料和/或零維導(dǎo)熱材料的質(zhì)量比為3-5:1;所述一維導(dǎo)熱材料的長度為15-20μm,長徑比為10-30:1;
所述氧化鋁陶瓷的體積電阻率≥1012Ω·m,優(yōu)選體積電阻率≥1013Ω·m。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化鋁陶瓷,其中原料氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈣為粉體,粉體的粒徑≤0.5μm;所述二維導(dǎo)熱材料的粒徑≤50μm,厚度≤0.5μm;所述零維導(dǎo)熱材料的粒徑≤1μm。
3.如權(quán)利要求1-2所述的氧化鋁陶瓷,其中所述導(dǎo)熱添加劑由一維導(dǎo)熱材料和二維導(dǎo)熱材料組成,或者所述導(dǎo)熱添加劑由一維導(dǎo)熱材料和零維導(dǎo)熱材料組成。
4.如權(quán)利要求1-3所述的氧化鋁陶瓷,所述一維導(dǎo)熱材料為碳化硅晶須;所述二維導(dǎo)熱材料為石墨片層、石墨烯片層或六方氮化硼片層,優(yōu)選為六方氮化硼片層;所述零維導(dǎo)熱材料為氮化硅顆粒、碳化硅顆粒或氮化鋁顆粒,優(yōu)選為氮化鋁顆粒。
5.如權(quán)利要求1-4所述的氧化鋁陶瓷,其導(dǎo)熱系數(shù)為≥50W/mK,抗彎強(qiáng)度≥210MPa。
6.如權(quán)利要求1-5所述的氧化鋁陶瓷,其中所述導(dǎo)熱添加劑為碳化硅晶須和六方氮化硼片層。
7.如權(quán)利要求1-6所述的氧化鋁陶瓷的制備方法,其包括如下步驟:
(1)將氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈣原料粉體按配比混合均勻,形成第一混合物;
(2)將導(dǎo)熱添加劑中的二維導(dǎo)熱材料和/或零維導(dǎo)熱材料按配比與上述第一混合物混合均勻,形成第二混合物;
(3)將導(dǎo)熱添加劑中的一維導(dǎo)熱材料按配比與上述第二混合物混合均勻,形成混合原料;
(4)將混合原料經(jīng)過模壓成型,在惰性氣氛下燒結(jié)得到所述氧化鋁陶瓷。
8.如權(quán)利要求7所述的氧化鋁陶瓷的制備方法,其中步驟(4)中的惰性氣氛為氮氣氣氛或稀有氣體氣氛。
9.如權(quán)利要求7-8所述的氧化鋁陶瓷的制備方法,其中步驟(1)-(3)中混合采用濕式球磨混合,混合介質(zhì)采用無水乙醇;步驟(3)之后在混合原料中添加PEG或PVA進(jìn)行造粒并干燥;步驟(4)中的模壓壓力為150-200MPa,燒結(jié)溫度為1500-1600℃。
10.一種陶瓷散熱基板,其由權(quán)利要求1-6所述的氧化鋁陶瓷制備得到。
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