[發明專利]一種用于叉指狀柵GOI結構漏電點精確定位的方法有效
| 申請號： | 201711194496.0 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN107991599B | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發明（設計）人： | 杜曉瓊;仝金雨;李桂花;蔚倩倩;李輝 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 劉廣達 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 叉指狀柵 goi 結構 漏電 精確 定位 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種叉指狀柵極GOI結構失效點定位方法，包括：
提供集成電路芯片；
逐層剝離集成電路各層直至暴露出源極/漏極接觸的頂部；
刻蝕去除源極/漏極接觸的導電材料，源極/漏極接觸包括黏附層、防擴散層、金屬填充層；
采用電壓襯度分析法，并結合聚焦離子束(FIB)切割方法，逐步定位柵極氧化層的失效點，其中，
所述的電壓襯度分析法中，柵極氧化層不存在失效點時，柵極呈現出暗的電壓襯度；柵極氧化層存在失效點時，相應柵極呈現出亮的電壓襯度；
所述結合聚焦離子束(FIB)切割的方法，逐步定位柵極氧化層的失效點，具體為：確定顯示出亮的電壓襯度的存在柵極氧化層失效點的缺陷區域；通過聚焦離子束(FIB)將該缺陷區域切割為兩部分；循環上述過程，直至缺陷區域縮小到預定的范圍，以分析具體的失效原因。
2.如權利要求1所述的失效點定位方法，其中，所述的刻蝕為化學刻蝕法。
3.如權利要求1所述的失效點定位方法，其中，所述的源極/漏極接觸的導電材料包括金屬和/或金屬合金。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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