[發明專利]介電層粗磨方法、存儲器制作方法、存儲器及電子設備

有效

• 申請號: 201711194490.3
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN107968051B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 周小紅;楊俊鋮;閔源;蔣陽波;萬先進
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;B24B37/04
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種多層層間介電層的粗磨方法，其特征在于，包括：

提供已沉積多層層間介電層的目標晶圓；

將目標晶圓放入研磨設備中進行粗磨；

確定目標研磨盤的驅動馬達的馬達扭矩，其中，所述目標研磨盤為研磨設備中研磨目標晶圓的研磨盤；

根據所述驅動馬達的馬達扭矩確定當前正在研磨的介電層；

若當前正在研磨的介電層為目標介電層，則停止研磨；

其中，所述根據所述驅動馬達的馬達扭矩確定當前正在研磨的介電層，包括：根據所述驅動馬達的馬達扭矩的變化趨勢確定當前正在研磨的介電層；

其中，若所述層間介電層的數量為兩層，分別為氮化硅層和氧化硅層，則所述根據所述驅動馬達的馬達扭矩的變化趨勢確定當前正在研磨的介電層，包括：

若所述馬達扭矩的變化趨勢為逐漸減小，則判斷當前正在研磨的介電層為氧化硅層；

若所述馬達扭矩的變化趨勢為逐漸增大，則判斷當前正在研磨的介電層為氮化硅層；

若所述馬達扭矩的變化趨勢為由逐漸減小變為逐漸增大，則判斷當前正在研磨的介電層為氧化硅層與氮化硅層的界面。

2.根據權利要求1所述的多層層間介電層的粗磨方法，其特征在于，所述確定目標研磨盤的驅動馬達的馬達扭矩，包括：

采集目標研磨盤的驅動馬達的驅動電流信號；

根據所述驅動電流信號確定所述驅動馬達的馬達扭矩。

3.根據權利要求1所述的多層層間介電層的粗磨方法，其特征在于，所述多層層間介電層包括：多層具有不同摩擦阻力的介電層，或者多層摩擦阻力隨研磨時長具有不同變化趨勢的介電層。

4.根據權利要求3所述的多層層間介電層的粗磨方法，其特征在于，所述多層層間介電層包括：氮化硅層和氧化硅層。

5.一種三維存儲器制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成有源層，所述有源層包括三維存儲單元和外圍電路；

在所述有源層之上形成多層層間介電層；

采用權利要求1至4任一項所述的多層層間介電層的粗磨方法，對所述多層層間介電層進行粗磨；

采用細磨工藝對粗磨后的所述多層層間介電層進行細磨；

在細磨后的所述多層層間介電層之上形成金屬布線層；

形成所述金屬布線層中金屬布線與所述有源層中三維存儲單元和外圍電路的接觸線。

6.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器根據權利要求5所述的三維存儲器制作方法制作而成。

7.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備中設置有權利要求6所述的三維存儲器。