[發明專利]一種消除介質層針孔缺陷影響的方法

在審

• 申請號: 201711193289.3
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN108039338A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 劉驊鋒;涂良成;宋蕭蕭;王秋;饒康;渠自強;伍文杰;劉金全;范繼
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 許恒恒;李智

1.一種消除介質層針孔缺陷影響的方法，所述介質層位于第一金屬層與第二金屬層之間，其為所述第一金屬層與第二金屬層之間的電氣絕緣層，其特征在于，在沉積所述第二金屬層之前，將所述第一金屬層連同表面沉積的介質層進行濕法刻蝕，刻蝕液通過所述介質層中的針孔缺陷進入所述第一金屬層表面，發生所述第一金屬層的各向同性刻蝕，使得所述第一金屬層形成無金屬區域，所述無金屬區域的橫向尺寸大于所述針孔缺陷的橫向尺寸，所述無金屬區域的縱向尺寸等于所述第一金屬層的厚度。

2.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)沉積第一金屬層；

(2)在所述第一金屬層表面沉積介質層薄膜，所述介質層薄膜中含有針孔缺陷；

(3)將步驟(2)所述第一金屬層連同表面沉積的介質層進行濕法刻蝕，刻蝕液通過所述介質層中的針孔缺陷進入所述第一金屬層表面，發生所述第一金屬層的各向同性刻蝕，使得所述第一金屬層形成無金屬區域，所述無金屬區域的橫向尺寸大于所述針孔缺陷的橫向尺寸，所述無金屬區域的縱向尺寸等于所述第一金屬層的厚度；

(4)在所述介質層薄膜表面沉積第二金屬層。

3.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，進行所述濕法刻蝕時，所述刻蝕液的溫度為30～80℃。

4.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，進行所述濕法刻蝕時，同時進行超聲處理。

5.如權利要求4所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述超聲功率為40～100W，超聲時間為2～30min。

6.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述針孔缺陷的橫向尺寸為0.5～5μm。

7.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述無金屬區域的橫向尺寸為所述針孔缺陷橫向尺寸的2～5倍。

8.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述介質層為絕緣介質層，其優選為二氧化硅或氮化硅。

9.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為50～1000nm。

10.如權利要求1所述的消除介質層針孔缺陷影響的方法，其特征在于，所述第一金屬層的金屬材料為鈦、金、鉻、鋁和鎳中的一種或多種。