[發明專利]層狀硫族光電材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201711192895.3
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN107935060B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 張剛華;曾濤;曹劍武;韓冰輝
• 申請（專利權）人: 上海材料研究所
• 主分類號: C01G53/00
• 分類號: C01G53/00;C01G51/00;C01G45/00;C01G49/00;C01B19/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 褚明偉

1.一種A₂MCu₃Se₄型層狀硫族光電材料的水熱制備方法，其特征在于，

A₂MCu₃Se₄型層狀硫族光電材料中，A為Na、K、Rb或Cs中的一種或多種；M為Mn、Fe、Co或Ni中的一種或多種，該材料具有ThCr₂Si₂型層狀結構，原子A穿插在相鄰的MCuSe₂層之間的空隙中，MCuSe₂層由四配位的M、Cu離子之間通過共邊連接方式構成，且Cu和M原子隨機分布在四面體的中心；

制備方法包括如下步驟：

1)將含M與Cu的反應原料按照物質的量比1：3加入水中混合并攪拌均勻，得到混合溶液；

2)向步驟1)所得混合溶液中加入Se單質或硒脲；

3)向步驟2)所得混合溶液中加入AOH，攪拌使混合物均勻混合；

4)待步驟3)所得混合物冷卻至室溫后，轉移至反應釜中，填充度為低于80％，在160～260℃下反應1～7天后將反應釜冷卻至室溫，并卸壓；

5)將合成樣品用去離子水清洗，并在超聲波振蕩器中進行超聲處理，得到A₂MCu₃Se₄型層狀硫族光電材料。

2.根據權利要求1所述A₂MCu₃Se₄型層狀硫族光電材料的水熱制備方法，其特征在于，含M的反應原料是指含M的可溶性鹽，含Cu的反應原料是指含Cu的可溶性鹽，含Se的反應原料是指硒粉或硒脲。

3.根據權利要求2所述A₂MCu₃Se₄型層狀硫族光電材料的水熱制備方法，其特征在于，步驟3)中，加入AOH后使所述溶液堿度達到2mol/L以上；步驟5)超聲處理之后，把所得樣品放到烘箱中烘干。