[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711192049.1
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN108172508A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 吉田博之;高橋一平;浦上泰
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/304
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

本發明提供一種半導體裝置的制造方法，有效地形成相對于SiC晶片的接觸電阻低的硅化物層。一種半導體裝置的制造方法，包括：對SiC晶片的表面進行磨削，且在露出于所述表面露出的范圍形成具有5nm以上的厚度的破碎層的工序；形成將所述破碎層覆蓋的金屬層的工序；及通過加熱來使所述金屬層與所述破碎層反應，由此形成與所述SiC晶片歐姆接觸的硅化物層，且被所述金屬層覆蓋的范圍的所述破碎層的至少一部分在其厚度方向整個區域變化為硅化物層的工序。

技術領域

本說明書公開的技術涉及半導體裝置的制造方法。

背景技術

專利文獻1公開了半導體裝置的制造方法。該制造方法具有磨削工序、破碎層除去工序、金屬層形成工序及硅化物層形成工序。在磨削工序中，對SiC晶片的表面進行磨削。在對SiC晶片的表面進行磨削時，在SiC晶片的表面附近的半導體層形成結晶缺陷。以下，將由于磨削而結晶缺陷密度上升的半導體層稱為破碎層。需要說明的是，在專利文獻1中，將破碎層稱為加工改性層。在破碎層除去工序中，通過RIE(Reactive Ion Etching)、濺射、濕式蝕刻、干式蝕刻、干拋光、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等來除去破碎層。在金屬層形成工序中，在除去了破碎層的SiC晶片的表面形成金屬層。在硅化物層形成工序中，通過加熱而使金屬層與SiC晶片反應，由此形成與SiC晶片歐姆接觸的硅化物層。根據該制造方法，能夠降低硅化物層與SiC晶片之間的接觸電阻。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】國際公開第2012/049792號

發明內容

【發明要解決的課題】

在專利文獻1的制造方法中，在除去了破碎層之后實施金屬層形成工序和硅化物層形成工序，由此實現硅化物層相對于SiC晶片的接觸電阻的降低。然而，在該制造方法中，由于需要除去破碎層，因此存在為了形成硅化物層所需的工序數多的問題。在本說明書中，提供一種能夠更有效地形成相對于SiC晶片的接觸電阻低的硅化物層的技術。

【用于解決課題的手段】

本說明書公開的半導體裝置的制造方法具有磨削工序、金屬層形成工序以及硅化物層形成工序。在所述磨削工序中，對SiC晶片的表面進行磨削。在所述磨削工序中，在露出于所述表面的范圍形成具有5nm以上的厚度的破碎層。在所述金屬層形成工序中，形成將所述破碎層覆蓋的金屬層。在所述硅化物層形成工序中，通過加熱來使所述金屬層與所述破碎層反應，由此形成與所述SiC晶片歐姆接觸的硅化物層。在所述硅化物層形成工序中，被所述金屬層覆蓋的范圍的所述破碎層的至少一部分在其厚度方向整個區域變化為硅化物層。

需要說明的是，上述的破碎層是指SiC晶片具有的半導體層中的通過磨削而結晶缺陷密度上升的半導體層。破碎層形成于在SiC晶片的被磨削的表面露出的范圍。

另外，上述的磨削工序是指對半導體晶片的表面進行磨削的工序，且形成具有5nm以上的厚度的破碎層的工序。例如，通過磨粒等對半導體晶片的表面進行機械切削的工序是磨削工序的一種。而且，也存在CMP等那樣幾乎不產生破碎層的磨削加工。在這種磨削加工中，由于破碎層的厚度小于5nm，因此這種磨削加工不是本說明書中所說的磨削工序。

另外，上述的硅化物層是包含金屬層與破碎層反應而生成的硅化物的層。