[發明專利]一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法

在審

• 申請號: 201711191022.0
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN107993955A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 馮亞麗;顧曉芳;倪棋梁;龍吟;陳宏璘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法。

背景技術

集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。在集成電路制造的過程中，在每個工藝流程中都有可能在晶圓上形成缺陷。隨著半導體工藝的發展，半導體器件越來越趨向于小型化，晶圓上的缺陷在半導體工藝中的影響越來越大，因此在集成電路制造的過程中，需要對晶圓進行缺陷檢測，以檢測結果為依據分析產生缺陷的原因，以對生產工藝或工藝設備進行調整，減小缺陷產生。

現有技術中，對晶圓邊緣檢測的手段比較單一，主要還是通過光學顯微鏡或電子顯微鏡手動進行檢測，這樣極大的降低了生產效率，而且人為因素影響很大，檢測的準確率不高，還容易出現在檢測過程中損壞晶圓的現象。

發明內容

根據現有技術中存在的上述問題，現提供一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法，旨在解決現有技術中通過人工使用顯微鏡檢測晶圓，檢測速度慢，準確率低的問題。本發明采用如下技術方案：

一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法，包括以下步驟：

步驟S1、建立一測量模型，所述測量模型的建立方法為，在待檢測晶圓上定義一對準標記，以所述對準標記為起點和終點，沿預設方向每隔一預設角度在所述待檢測晶圓的圓周上取一點作為量測點，定義所述對準標記為零度，相對于所述對準標記每個所述量測點具有一個相應的角度值；

步驟S2、測量每個所述量測點到所述待檢測晶圓的中心的距離值；

步驟S3、將每個所述距離值與預設的標準數值進行比較，判斷與所述標準數值不匹配的所述距離值對應的所述量測點為異常點，并得出所述異常點的所述角度值；

步驟S4、根據相應的所述角度值，獲取所述異常點的缺陷的具體形貌并顯示。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述步驟S2包括以下步驟：

步驟S21、定位待檢測晶圓的所述對準標記；

步驟S22、沿所述預設方向依次測量每個所述量測點到待檢測晶圓的中心的距離值；

步驟S23、根據每個所述量測點對應的所述角度值和所述距離值建立測量數值表并儲存。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述步驟S3包括以下步驟：

步驟S31、提供一標準數值；

步驟S32、將所述測量數值表中的所有所述距離值逐一與所述標準數值進行比較，判斷與所述標準數值不匹配的所述距離值對應的所述量測點為所述異常點，并得出所述異常點的所述角度值。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述標準數值為待檢測晶圓的半徑。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，判斷所述距離值與所述標準數值不匹配的條件為，所述距離值與所述標準值之間的差值大于0.1mm。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述對準標記為待測晶圓的標記缺口。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，步驟S2中，通過激光掃描測量每個所述距離值。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述步驟S4中，通過配置有電子目鏡的顯微鏡獲取所述異常點的缺陷的具體形貌并顯示。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述預設方向為逆時針方向或順時針方向。

較佳的，上述檢測晶圓邊緣缺陷的方法中，所述預設角度為0.1度。

上述技術方案的有益效果是：在晶圓邊緣定義多個量測點，每個量測點對應一個角度值，通過量測每個量測點到晶圓中心的距離值與標準數值比較得到缺陷所在位置，再對缺陷點進行檢測，得到缺陷的具體形貌。提高檢測速度以及準確率。

附圖說明

圖1-3是本發明的較佳的實施例中，一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法的步驟流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，但不作為本發明的限定。

本發明的較佳的實施例中，如圖1-3所示，提供一種檢測晶圓邊緣缺陷的方法，包括以下步驟：

步驟S1、建立一測量模型，測量模型的建立方法為，在待檢測晶圓上定義一對準標記，以對準標記為起點和終點，沿預設方向每隔一預設角度在待檢測晶圓的圓周上取一點作為量測點，定義對準標記為零度，相對于對準標記每個量測點具有一個相應的角度值；