[發明專利]一種GIS設備的加熱裝置及方法有效
| 申請號: | 201711191000.4 | 申請日: | 2017-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN107864525B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 羅漢武;來文青;葉立剛;曹永東;孟輝;高志鵬;姜廣鑫;陳曦;王永強 | 申請(專利權)人: | 國網內蒙古東部電力有限公司;國網內蒙古東部電力有限公司檢修分公司;華北電力大學(保定) |
| 主分類號: | H05B6/02 | 分類號: | H05B6/02;H05B6/06;H05B6/10;H05B3/14;H05B3/02 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 010000 內蒙古自治區呼*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gis 設備 加熱 裝置 方法 | ||
1.一種GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述GIS設備的加熱方法應用于GIS設備的加熱裝置,所述GIS設備的加熱裝置為圓筒狀結構,纏繞貼合在GIS設備外殼上,所述加熱裝置包括:半導體加熱膜、感應加熱線圈、環境溫度傳感器、氣體壓力與溫度傳感器、加熱控制電源、控制電路;
所述半導體加熱膜與所述感應加熱線圈水平方向并列設置,所述半導體加熱膜與所述感應加熱線圈之間設置有距離間隔;
所述環境溫度傳感器的輸出端、所述氣體壓力與溫度傳感器的輸出端分別通過所述控制電路與所述加熱控制電源的輸入端連接;
所述加熱控制電源的輸出端通過所述控制電路與所述半導體加熱膜的輸入端、所述感應加熱線圈的輸入端分別連接;所述加熱控制電源用于通過所述控制電路控制所述半導體加熱膜的通斷,還用于通過所述控制電路控制所述感應加熱線圈的電流頻率;
所述加熱方法包括:
獲取GIS設備外界環境的溫度值;
判斷所述溫度值是否小于第一設定溫度值,得到第一判斷結果;
當所述第一判斷結果表示所述溫度值小于第一設定溫度值時,開啟半導體加熱膜加熱過程;
獲取所述GIS設備的氣體壓力值;
判斷所述氣體壓力值是否小于第一設定壓力值,得到第二判斷結果;
當所述第二判斷結果表示所述氣體壓力值小于第一設定壓力值時,開啟感應加熱線圈加熱過程;
當所述第二判斷結果表示所述氣體壓力值不小于第一設定壓力值時,停止感應加熱線圈加熱過程;
判斷所述溫度值是否大于第二設定溫度值,得到第三判斷結果;所述第二設定溫度值大于所述第一設定溫度值;
當所述第三判斷結果表示所述溫度值大于第二設定溫度值時,停止半導體加熱膜加熱過程。
2.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述加熱裝置還包括:絕熱棉,所述絕熱棉包覆于所述半導體加熱膜外表面。
3.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述加熱裝置還包括:隔熱絕緣毯,所述隔熱絕緣毯設置于所述GIS設備外殼和所述感應加熱線圈之間。
4.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述半導體加熱膜的加熱功率為3500W。
5.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述半導體加熱膜具體包括:碳素發熱區、銅箔載流條和基膜。
6.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,當所述GIS設備外殼為不銹鋼材質時,所述感應加熱線圈的電流頻率為200kHz~250kHz;當所述GIS設備外殼為鋁合金材質時,所述感應加熱線圈的電流頻率為40kHz~70kHz。
7.根據權利要求1所述的GIS設備的加熱方法,其特征在于,所述獲取所述GIS設備的氣體壓力值之后,還包括:
實時監測所述GIS設備的氣體溫度值。
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