[發(fā)明專利]一種N型晶硅電池的制備方法

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• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN107978645A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭瑤;鄭霈霆;張昕宇;金浩;許佳平;孫海杰
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，包括：

S1：將N型硅片的正面進行堿式制絨和織構(gòu)化處理；

S2：將步驟S1處理后的N型硅片進行正面硼擴散，形成硼擴散層；

S3：在N型硅片的背面刻蝕并沉積一層背面鈍化減反射層；

S4：在硼擴散后的N型硅片正面沉積一層鈍化層，在所述鈍化層上沉積一層正面鈍化減反射層；

S5：在所述N型硅片背面激光開槽并蒸鍍背面金屬疊層；

S6：在所述N型硅片正面電鍍正面金屬疊層，即得所述N型晶硅電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S2中正面硼擴散，采用BBr₃液態(tài)源擴散，擴散方阻為50-70Ω/□，擴散溫度為950℃-1000℃，擴散時間為90-100min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中采用PECVD或PVD法制作背面鈍化減反射層，步驟S4中采用ALD法制作鈍化層，采用PECVD或PVD法制作正面鈍化減反射層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述背面鈍化減反射層的厚度為60-120nm，步驟S4中所述鈍化層的厚度為5-20nm，所述正面鈍化減反射層的厚度為60-120nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述背面鈍化減反射層為SiNx層、SiO₂層或SiNx/SiO₂復(fù)合層，步驟S4中所述鈍化層為氧化鋁鈍化層或氧化硅鈍化層，所述正面鈍化減反射層為SiNx層、SiO₂層或SiNx/SiO₂復(fù)合層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述背面金屬疊層為雙層金屬疊層，步驟S6中所述正面金屬疊層為三層金屬疊層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池的制備方法，其特征在于，步驟S5中在所述激光開槽處蒸鍍的所述背面金屬疊層穿過所述背面鈍化減反射層與所述N型硅片形成歐姆接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型晶硅電池，其特征在于，步驟S6中在所述N型硅片正面電鍍的所述正面金屬疊層依次穿過所述正面鈍化減反射層和所述鈍化層并與所述N型硅片形成歐姆接觸。