[發(fā)明專利]一種數(shù)控小工具拋光輔助大氣等離子體加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711190715.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108081070B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉衛(wèi)國(guó);惠迎雪;陳智利;張進(jìn);周順;劉兆豐;趙楊勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B24B13/00 | 分類號(hào): | B24B13/00;B24B13/01;B24B55/02;C03C15/02;C30B33/12 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 61114 | 代理人: | 黃秦芳 |
| 地址: | 710032 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)控 光學(xué)元件表面 大氣等離子體 加工 小工具 磨頭 電弧等離子體源 小工具拋光 附著物 光學(xué)元件 噴槍 去除 精密加工技術(shù) 表面缺陷 對(duì)稱旋轉(zhuǎn) 多次迭代 二次吸附 加工效率 加工元件 加工原件 刻蝕拋光 研磨拋光 研磨 上表面 工裝 光滑 | ||
本發(fā)明涉及光學(xué)元件表面超光滑精密加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種數(shù)控小工具拋光輔助大氣等離子體加工方法。以解決現(xiàn)有大氣等離子體加工時(shí),表面次生附著物二次吸附,光學(xué)元件表面質(zhì)量嚴(yán)重下降,加工效率降低的問(wèn)題。本發(fā)明的步驟為開(kāi)啟對(duì)稱旋轉(zhuǎn)工裝上的大氣電弧等離子體源噴槍,去除光學(xué)元件在前期加工過(guò)程中表面缺陷,對(duì)光學(xué)元件表面進(jìn)行由點(diǎn)及面的刻蝕拋光,然后開(kāi)啟數(shù)控柔性小工具磨頭,對(duì)光學(xué)元件表面進(jìn)行研磨拋光;同時(shí)開(kāi)啟大氣電弧等離子體源噴槍和數(shù)控柔性小工具磨頭,加工原件表面質(zhì)量;再次開(kāi)始對(duì)被加工元件的上表面加工,所產(chǎn)生的二次附著物被數(shù)控柔性小工具磨頭研磨去除,多次迭代加工后,完成光學(xué)元件的加工。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)元件表面超光滑精密加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種數(shù)控小工具拋光輔助大氣等離子體加工方法。
背景技術(shù)
以降低光學(xué)元件表面粗糙度為主要目標(biāo)的超精密加工技術(shù)稱為超光滑表面加工技術(shù),而傳統(tǒng)的光學(xué)加工基于范成法和手工研磨方法的傳統(tǒng)方法,加工效率低且加工精度很難達(dá)到超光滑表面加工的要求。近年來(lái),以數(shù)控小工具為代表的拋光技術(shù)成為超精密光學(xué)元件加工的重要手段,但是受限于小尺度制造誤修正方面的要求,拋光效率雖較傳統(tǒng)光學(xué)加工方法大幅提高,但仍然受到限制。
專利號(hào)為CN200710072022.9的發(fā)明專利介紹了一種電容耦合式大氣等離子體拋光方法,專利號(hào)為CN201310400822.4的發(fā)明專利給出了一種基于電弧放電的大氣等離子體方法,這些方法均是在大氣環(huán)境下利用氣體輝光放電產(chǎn)生低溫等離子體射流,利用引入的含氟活性氣體與加工光學(xué)元件表面材料的化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行材料的快速去除和拋光。雖然,采用此類方法均可取得高效率的拋光效果,但是由于在拋光過(guò)程中通常要引入SF6、CF4、NF3等含氟氣體,反應(yīng)氣體于光學(xué)元件材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生材料去除,所生成的附著物,雖然大部分氣化揮發(fā),隨著尾氣排除,但考慮附著物與大氣環(huán)境中的N、O乃至水汽等再次反應(yīng),形成次生附著物,在光學(xué)元件表面產(chǎn)生二次吸附。特別地,為了抑制等離子體對(duì)光學(xué)元件拋光過(guò)程中由于溫度引起的變形問(wèn)題,等離子體拋光過(guò)程中多采用低溫等離子體,同時(shí)在拋光過(guò)程中引入降溫措施,如此,都會(huì)促成二次附著物的產(chǎn)生和增加。二次附著物的存在帶來(lái)了很多問(wèn)題,如元件表面質(zhì)量劣化,工藝穩(wěn)定性變差等,最為嚴(yán)重的是,為了控制加工過(guò)程中的小尺寸誤差,在等離子體拋光過(guò)程中需要對(duì)光學(xué)元件表面作用區(qū)域進(jìn)行多次迭代加工,而光學(xué)元件表面二次附著層的存在,會(huì)對(duì)光學(xué)元件表面化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生抑制作用,極大地影響迭代加工的效率和收斂精度。因此必須通過(guò)新的工藝方法,抑制等離子體拋光過(guò)程中二次附著物的產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種數(shù)控小工具拋光輔助大氣等離子體加工方法,以解決現(xiàn)有大氣等離子體加工時(shí),表面次生附著物二次吸附,光學(xué)元件表面質(zhì)量嚴(yán)重下降,加工效率降低的問(wèn)題。
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種數(shù)控小工具拋光輔助大氣等離子體加工方法,其特征在于:所述的加工方法的步驟為:
步驟一:開(kāi)啟對(duì)稱旋轉(zhuǎn)工裝上的大氣電弧等離子體源噴槍,以氮?dú)鉃檩d氣,含氟氣體為反應(yīng)氣體,調(diào)節(jié)通入大氣電弧等離子體源噴槍的載氣和反應(yīng)氣體流量比,產(chǎn)生大氣電弧等離子體射流,設(shè)定大氣電弧等離子體射流對(duì)光學(xué)元件材料的高刻蝕去除率,快速去除光學(xué)元件在前期加工過(guò)程中產(chǎn)生的表面及亞表面缺陷,然后根據(jù)被加工原件面形要求,設(shè)定多維運(yùn)動(dòng)控制臺(tái)的加工軌跡,對(duì)光學(xué)元件表面進(jìn)行由點(diǎn)及面的刻蝕拋光,加工結(jié)束后,開(kāi)啟數(shù)控柔性小工具磨頭,使之沿大氣電弧等離子體源噴槍加工軌跡對(duì)光學(xué)元件表面進(jìn)行研磨拋光,去除等離子加工過(guò)程中的附著物;
步驟二:同時(shí)開(kāi)啟大氣電弧等離子體源噴槍和數(shù)控柔性小工具磨頭,大氣電弧等離子體源噴槍和數(shù)控柔性小工具磨頭研磨的火花均作用于被加工原件的上表面上,使大氣電弧等離子體射流加工作用區(qū)位于數(shù)控柔性小工具磨頭研磨作用區(qū)運(yùn)動(dòng)方向的前側(cè),通過(guò)調(diào)節(jié)大氣電弧等離子體源噴槍的氣體流量比、縮小噴槍嘴口徑的方法,使其產(chǎn)生的大氣電弧等離子體射流對(duì)元件表面材料去除效率降至2mm3/min以下以提高加工原件表面質(zhì)量;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安工業(yè)大學(xué),未經(jīng)西安工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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