[發明專利]一種白光LED芯片結構及制作方法

有效

• 申請號: 201711190233.2
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN109841643B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 謝春林
• 申請（專利權）人: 比亞迪半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 姚章國

1.一種白光LED芯片結構，其特征在于，在同一個LED芯片上至少設有兩個子芯片，子芯片包括襯底和形成于襯底上的外延層，所述外延層自所述襯底依次包括緩沖層、N型半導體層、發光層、電子阻擋層、P型半導體層和導電層，通過設置不同子芯片的電子阻擋層的厚度，配合發光層，不同子芯片發出不同波長的光，不同波長的光混合形成白光；

其中，所述子芯片包括藍光子芯片和黃光子芯片，藍光和黃光混合形成白光，所述藍光子芯片的電子阻擋層的厚度為10～50nm，黃光子芯片的電子阻擋層的厚度為70～120nm；或者，

所述子芯片包括藍光子芯片、綠光子芯片和紅光子芯片，藍光、綠光和紅光混合形成白光，所述藍光子芯片的電子阻擋層的厚度為10～50nm，綠光子芯片的電子阻擋層的厚度為50～100nm，紅光子芯片的電子阻擋層的厚度為100～150nm。

2.如權利要求1所述的一種白光LED芯片結構，其特征在于，在同一個LED芯片上相鄰的子芯片之間具有隔離區域，隔離區域的深度至少達到緩沖層。

3.一種白光LED芯片結構的制作方法，包括以下步驟：

在芯片襯底上依次外延生長緩沖層、N型半導體層、發光層和電子阻擋層；

對電子阻擋層進行蝕刻，不同的子芯片區域中蝕刻出不同的厚度；

在電子阻擋層上依次生長P型半導體層和導電層；

在相鄰子芯片之間蝕刻出隔離區域，隔離區域的蝕刻深度至少達到緩沖層；

所述子芯片包括藍光子芯片和黃光子芯片，藍光子芯片的電子阻擋層的厚度為10～50nm，黃光子芯片的電子阻擋層的厚度為70～120nm；或者，

所述子芯片包括藍光子芯片、綠光子芯片和紅光子芯片，藍光子芯片的電子阻擋層的厚度為10～50nm，綠光子芯片的電子阻擋層的厚度為50～100nm，紅光子芯片的電子阻擋層的厚度為100～150nm。