[發(fā)明專利]一種改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711189541.3 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN109839801A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王金翠;蘇建;徐現(xiàn)剛;肖成峰;鄭兆河 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/72 | 分類號： | G03F1/72;G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻掩膜版 光刻膠層 光刻 使用期限 光刻版 外延片 烘烤 曝光 外延層表面 掩膜版圖形 二次曝光 顯影處理 一次曝光 光刻膠 刻制 襯底 上旋 顯影 旋涂 制備 替換 損傷 | ||
1.一種改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于，包括如下步驟：
a) 在生長有外延層的外延片（1）表面旋涂光刻膠形成第一光刻膠層（2），烘烤去除第一光刻膠層（2）中的溶劑；
b)在第一光刻膠層（2）上旋涂第二光刻膠層（3），烘烤去除第二光刻膠層（3）中的溶劑；
c)利用光刻掩膜版（4）通過曝光、曝光后烘烤及顯影方法在第二光刻膠層（3）上根據(jù)掩膜版圖形尺寸（6）光刻制備出需要的圖形，制備完成后進(jìn)行去水烘烤；
d)利用步驟c)中光刻出的圖形作為光刻掩膜版，將外延片（1）進(jìn)行二次曝光、顯影處理，在外延片（1）上制備得到所需圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟a)中的烘烤采用在烘箱內(nèi)加熱至80℃-100℃下烘烤5-10min或在熱板上加熱至80℃-100℃下烘烤1-3min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟a)中旋涂的光刻膠為正性光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟b)中的烘烤采用在烘箱內(nèi)加熱至80℃-100℃下烘烤5-10min或在熱板上加熱至80℃-100℃下烘烤1-3min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟b)中旋涂的光刻膠為負(fù)性光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟c)中光刻掩膜版上損傷（5）位置在第一光刻膠層（2）上殘留的殘留光刻膠（7）尺寸小于光刻掩膜版（4）上的光刻掩膜版上損傷（5）的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟c)中曝光后在烘箱內(nèi)加熱至80℃-100℃下烘烤10-15min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光刻缺陷以及延長光刻版使用期限的方法，其特征在于：步驟d)中外延片（1）進(jìn)行二次曝光時(shí)間為步驟c)中曝光時(shí)間的1.2-1.5倍。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
