[發明專利]采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法及設備在審
| 申請號： | 201711189426.6 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN108018538A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 侯龍;劉品;邱通令;凃維 | 申請（專利權）人： | 中航（重慶）微電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 401331 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 pe teos 工藝 制備 二氧化硅 薄膜 方法 設備 | ||
1.一種采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述制備方法包括：
步驟1)對TEOS液體進行氣化處理，以產生TEOS氣體；
步驟2)將氧氣和所述TEOS氣體通入反應腔室，其中，所述氧氣的氣體流量與所述TEOS的液體流量的比值不小于3.2；
步驟3)對所述氧氣和所述TEOS氣體進行解離后反應，生成二氧化硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟1)中對TEOS液體進行氣化的溫度為80℃～120℃。
3.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟2)中所述TEOS氣體通過惰性氣體作為載體進入所述反應腔室，其中，所述惰性氣體包括氦氣。
4.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟2)中所述氧氣的氣體流量為2000sccm～4500sccm，所述TEOS的液體流量為500mgm～1500mgm。
5.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟3)中通過射頻對所述氧氣和所述TEOS氣體進行解離，其中，射頻功率為300W～800W。
6.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述反應腔室中的反應壓力為7T～8.5T，反應溫度為380℃～420℃。
7.根據權利要求1所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜用作溝槽掩膜。
8.根據權利要求7所述的采用PE-TEOS工藝制備二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述溝槽掩膜的厚度為1000埃～20000埃。
9.一種制備如權利要求1～8任一項所述二氧化硅薄膜的設備，其特征在于，所述設備包括：
液體進入管路，用于通入所述TEOS液體；
氣化處理裝置，與所述液體進入管路連接，用于對通入的所述TEOS液體進行氣化處理，以產生TEOS氣體；
氣體進入管路，用于通入所述氧氣；
反應腔室，分別與所述氣化處理裝置和所述氣體進入管路連接，用于裝載通入的所述TEOS氣體和所述氧氣，并作為所述TEOS氣體和所述氧氣的反應室；及
射頻發生裝置，設于所述反應腔室上，用于產生射頻，并通過產生的射頻對所述反應腔室內的所述TEOS氣體及所述氧氣進行解離。
10.根據權利要求9所述的設備，其特征在于，所述設備還包括設于所述氣化處理裝置與所述反應腔室之間的載體提供裝置，用于提供載氣，以將所述TEOS氣體帶入所述反應腔室內。
11.根據權利要求9所述的設備，其特征在于，所述射頻發生裝置包括設于所述反應腔室外的射頻發生器，及一端與所述射頻發生器連接，一端通入所述反應腔室內的射頻傳輸導體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
