[發明專利]電壓切換裝置及方法有效
| 申請號: | 201711189355.X | 申請日: | 2017-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN109039326B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 陳至仁;許庭碩 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩華;姚開麗 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 切換 裝置 方法 | ||
1.一種電壓切換裝置,其特征在于,包括:
接收器;
電壓控制開關,連接在輸入數據端與所述接收器之間;
第一電壓產生電路,提供第一電壓;
電壓檢測器,當檢測到所述第一電壓高于預定電壓時,輸出第一邏輯信號;
第一開關電路,連接在所述第一電壓產生電路與所述電壓控制開關之間,所述第一開關電路根據所述第一邏輯信號接通,使所述電壓控制開關由所述第一電壓接通,而數據從所述輸入數據端發送到所述接收器;
第二電壓產生電路,在所述電壓檢測器輸出第二邏輯信號之后,當檢測到所述第一電壓低于所述預定電壓時,提供第二電壓;以及
第二開關電路,連接在所述第二電壓產生電路與所述電壓控制開關之間,其中所述第一開關電路根據所述第二邏輯信號而關閉,并且所述第二開關電路根據所述第二邏輯信號而接通,使所述電壓控制開關由所述第二電壓接通,所述數據從所述輸入數據端發送到所述接收器,
其中所述第一開關電路包括:第一半導體開關,連接于所述第一電壓產生電路與所述電壓控制開關之間;以及第一反相器,連接在所述電壓檢測器和所述第一半導體開關之間,其中當所述電壓檢測器輸出所述第一邏輯信號時,所述第一反相器將所述第一邏輯信號反相轉換成所述第二邏輯信號以接通所述第一半導體開關,使所述第一電壓產生電路輸出所述第一電壓,通過所述第一半導體開關打開所述電壓控制開關。
2.如權利要求1所述的電壓切換裝置,其特征在于,所述第一邏輯信號是邏輯高電平信號,所述第二邏輯信號是邏輯低電平信號,并且所述第一半導體開關是PMOS晶體管。
3.如權利要求1所述的電壓切換裝置,其特征在于,所述第二開關電路包括:
第二半導體開關,連接在所述第二電壓產生電路與所述電壓控制開關之間;以及
第二反相器,連接在所述電壓檢測器與所述第二電壓產生電路之間,其中當所述電壓檢測器將所述第二邏輯信號輸出到所述第一反相器時,所述第二反相器及所述第二半導體開關,其中所述第一反相器將所述第二邏輯信號反轉為所述第一邏輯信號以關閉所述第一半導體開關,所述第二反相器將所述第二邏輯信號反轉為所述第一邏輯信號,以啟用所述第二電壓產生電路,并且所述第二半導體開關由所述第二邏輯信號打開,使得所述第二電壓產生電路輸出所述第二電壓以通過所述第二半導體開關打開所述電壓控制開關。
4.如權利要求3所述的電壓切換裝置,其特征在于,所述第一邏輯信號是邏輯高電平信號,所述第二邏輯信號是邏輯低電平信號,并且所述第二半導體開關是PMOS晶體管。
5.如權利要求4所述的電壓切換裝置,其特征在于,所述電壓控制開關是NMOS晶體管。
6.一種電壓切換裝置,其特征在于,包括:
第一電壓產生電路,提供第一電壓;
第一開關電路,連接在所述第一電壓產生電路與電壓控制開關之間,其中所述電壓控制開關連接在輸入數據端與接收器之間;
第二電壓產生電路;
第二開關電路,連接在所述第二電壓產生電路與所述電壓控制開關之間;以及
電壓檢測器,在檢測到所述第一電壓高于預定電壓時,向所述第一開關電路和所述第二開關電路輸出第一邏輯信號,其中所述第一開關電路被接通,所述第二開關電路根據所述第一邏輯信號而關閉,使所述電壓控制開關由所述第一電壓接通,數據從所述輸入數據端發送到所述接收器,在檢測到所述第一電壓低于所述預定電壓時,所述電壓檢測器向所述第一開關電路和所述第二開關電路輸出第二邏輯信號,其中所述第一開關電路為關閉,所述第二開關電路根據所述第二邏輯信號而接通,使所述第二電壓產生電路能夠提供第二電壓,所述電壓控制開關由所述第二電壓接通,所述數據從所述輸入數據端傳送到所述接收器,
其中所述第一開關電路包括:第一半導體開關,連接于所述第一電壓產生電路與所述電壓控制開關之間;以及第一反相器,連接在所述電壓檢測器和所述第一半導體開關之間,其中當所述電壓檢測器輸出所述第一邏輯信號時,所述第一反相器將所述第一邏輯信號反相轉換成所述第二邏輯信號以接通所述第一半導體開關,使所述第一電壓產生電路輸出所述第一電壓,通過所述第一半導體開關打開所述電壓控制開關。
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