[發明專利]一種氮化物發光二極管有效
| 申請號： | 201711188772.2 | 申請日： | 2017-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN107968138B | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 藍永凌;林兓兓;蔡吉明 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化物 發光二極管 | ||
1.一種氮化物發光二極管，包括襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、N型氮化物層、多量子阱發光層、電子阻擋層和P型氮化物層，其特征在于：所述N型氮化物層與多量子阱發光層之間設置有n型碳原子調變層，所述n型碳原子調變層中n型雜質含量＞碳原子含量，所述n型碳原子調變層包括依次位于N型氮化物層上的第一調變層和第二調變層，且第一調變層的碳原子含量大于第二調變層的碳原子含量。
2.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n型碳原子調變層中碳原子含量為1×1017~1×1018 Atoms/cm3。
3.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述第一調變層為氮化物單層結構或者氮化物多層結構，其中，n型雜質含量＞碳原子含量。
4.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述第二調變層為InGaN/GaN超晶格結構，其中，In含量＞n型雜質含量＞碳原子含量。
5.根據權利要求3所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述第一調變層為GaN單層或者InGaN單層或者前述兩種單層組成的多層結構。
6.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述N型氮化物層中n型雜質含量大于n型碳原子調變層中n型雜質含量。
7.根據權利要求1~6任意一項所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n型碳原子調變層還包括一第三調變層。
8.根據權利要求7所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述第三調變層為氮化物單層結構或者氮化物多層結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽三安光電有限公司，未經安徽三安光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711188772.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
