[發明專利]一種改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法在審
| 申請號： | 201711185873.4 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN107968068A | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 熊易斯 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 深溝 隔離 焦深 工藝 窗口 方法 | ||
1.一種改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、提供一半導體襯底，所述半導體襯底上表面依次覆蓋有氧化層、第一抗反射層和第一光阻層；
步驟S2、對所述第一光阻層進行光刻，以在所述第一光阻層露出需要刻蝕溝槽的位置；
步驟S3、刻蝕所述第一抗反射層、所述氧化層和所述半導體襯底，以在所述半導體襯底中形成第一溝槽；
步驟S4、去除所述第一光阻層、所述第一抗反射層和所述氧化層，形成第二抗反射層，使所述第二抗反射層覆蓋在所述半導體襯底上表面以及填充所述第一溝槽；
步驟S5、形成第二光阻層，使所述第二光阻層覆蓋在所述第二抗反射層的上表面以及填充所述第二抗反射層的空隙；
步驟S6、對所述第二光阻層進行光刻，以形成初始工藝窗口；
步驟S7、形成水溶性有機化合物層，使所述水溶性有機化合物層覆蓋在所述第二光阻層的上表面以及填充所述初始工藝窗口；
步驟S8、對覆蓋有所述水溶性有機化合物層的所述第二光阻層進行高溫烘烤，以形成最終工藝窗口；
步驟S9、刻蝕所述第二抗反射層和所述半導體襯底，以在所述半導體襯底中形成第二溝槽；
步驟S10、去除所述第二抗反射層、所述第二光阻層和所述水溶性有機化合物層；
其中，所述初始工藝窗口的尺寸大于所述最終工藝窗口的尺寸。
2.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述第一抗反射層的厚度為670埃。
3.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述第一光阻層的厚度為4150埃。
4.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述第二抗反射層的厚度為900埃。
5.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述第二光阻層的厚度為6200埃。
6.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述半導體襯底的材料為硅。
7.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述第二光阻層部分填充所述第一溝槽。
8.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟S7中，形成所述水溶性有機化合物層的方法為將水溶性有機化合物涂布到所述第二光阻層的表面。
9.根據權利要求1所述的改善深溝槽隔離焦深工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟S8中，進行高溫烘烤，所述水溶性有機化合物層與所述第二光阻層發生交聯反應。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
