[發(fā)明專(zhuān)利]一種NVMeSSDIO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711185350.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107799158A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左聰越
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鄭州云海信息技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/50
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/50;G11C29/56
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專(zhuān)利事務(wù)所有限公司37205
• 代理人: 張亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及SSD硬盤(pán)測(cè)試領(lǐng)域，具體涉及一種NVMe SSD的IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法。

背景技術(shù)

隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的來(lái)臨,企業(yè)存儲(chǔ)面臨著各種性能挑戰(zhàn)。SSD即固態(tài)硬盤(pán)，用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)，具有傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)不具備的快速讀寫(xiě)、質(zhì)量輕、能耗低以及體積小等特點(diǎn)。NVMe是一種建立在M.2接口上的類(lèi)似AHCI的一種協(xié)議,是專(zhuān)門(mén)為閃存類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)的協(xié)議。對(duì)比傳統(tǒng)的AHCI，NVMe重要的優(yōu)勢(shì)之一就是低延時(shí)，NVMe標(biāo)準(zhǔn)是面向PCI-E SSD的，使用原生PCI-E通道與CPU直連可以免去SATA與SAS接口的外置控制器(PCH)與CPU通信所帶來(lái)的延時(shí)。

NVMe SSD目前在存儲(chǔ)領(lǐng)域是一個(gè)非常受關(guān)注的部分，其重要的優(yōu)勢(shì)之一就是IO低延時(shí)。

IO延時(shí)測(cè)試過(guò)程和結(jié)果直接影響著NVMe SSD的最終性能，因此一種合理有效的IO延時(shí)測(cè)試方法就顯得尤為重要。目前業(yè)內(nèi)主要用于IO基準(zhǔn)測(cè)試的工具為Iozone、Iometer等，這些工具僅能反映IO帶寬、IOPS等相關(guān)指標(biāo)，無(wú)法提供IO延時(shí)指標(biāo)。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種NVMe SSD的IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，采用Fio作為測(cè)試IO延時(shí)工具，F(xiàn)io不僅能反應(yīng)出NVMe SSD的帶寬、IOPS，更能直觀反應(yīng)出IO延時(shí)情況。該測(cè)試方法操作簡(jiǎn)單，節(jié)約人力，同時(shí)降低了手工測(cè)試的誤操作率，為NVMe SSD IO延時(shí)測(cè)試的質(zhì)量及效率提供保證。

發(fā)明內(nèi)容

具體地，本申請(qǐng)請(qǐng)求保護(hù)一種NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征在于，該方法具體包括如下步驟：

S1：測(cè)試環(huán)境準(zhǔn)備；

S2：測(cè)試設(shè)備初始化；

S3：設(shè)置測(cè)試參數(shù)；

S4：IO延時(shí)測(cè)試；

S5：監(jiān)控系統(tǒng)資源使用情況；

S6：處理測(cè)試結(jié)果。

如上所述的NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征還在于，步驟S1的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S11：限制shel l進(jìn)程及其子進(jìn)程的資源使用；

S12：配置NVMe SSD的I/O調(diào)度算法；

S13：數(shù)據(jù)同步，清空緩存。

如上所述的NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征還在于，步驟S2的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S21：順序測(cè)試前需要用塊大小為16k的IO順序初始化設(shè)備，隨機(jī)測(cè)試前需要用大小為16k的IO隨機(jī)初始化設(shè)備，將初始化結(jié)果放到rw_precondit ion.log randrw_precondit ion.log中。

如上所述的NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征還在于，步驟S4的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S41：打印測(cè)試命令日志到result.log；

S42：執(zhí)行測(cè)試。

如上所述的NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征還在于，步驟S5的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S51：在每條IO延時(shí)測(cè)試的過(guò)程中，通過(guò)iostat、mpstat、free命令監(jiān)控系統(tǒng)資源使用情況，并輸出到相應(yīng)日志；

S52：在每條IO延時(shí)測(cè)試項(xiàng)完成后結(jié)束系統(tǒng)資源使用情況監(jiān)控。

如上所述的NVMe SSD IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，其特征還在于，步驟S6的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S61：生成測(cè)試結(jié)果表頭；

S62：匹配每條IO延時(shí)測(cè)試結(jié)果。

附圖說(shuō)明

圖1、本發(fā)明IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法流程圖

圖2、本發(fā)明輸出測(cè)試結(jié)果結(jié)構(gòu)圖

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好地理解、實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種NVMe SSD的IO延時(shí)自動(dòng)化測(cè)試方法，所述的方法包括以下6個(gè)步驟：

S1：測(cè)試環(huán)境準(zhǔn)備；

S2：測(cè)試設(shè)備初始化；

S3：設(shè)置測(cè)試參數(shù)；

S4：IO延時(shí)測(cè)試；

S5：監(jiān)控系統(tǒng)資源使用情況；

S6：處理測(cè)試結(jié)果。

具體內(nèi)容如下：

1、步驟S1的具體實(shí)現(xiàn)步驟為：

S11：限制shell進(jìn)程及其子進(jìn)程的資源使用；

具體實(shí)現(xiàn)如下：

ulimit-d unlimited#對(duì)進(jìn)程的數(shù)據(jù)段長(zhǎng)度不進(jìn)行限制

ulimit-s unlimited#對(duì)堆棧大小不進(jìn)行限制